【摘要】 本发明公开一种高可靠性熔断器，包括熔断芯片，此熔断芯片主要由两个端电极、陶瓷基片、第一熔体层和第一灭弧玻璃层组成，第一灭弧玻璃层覆盖于所述第一熔体层和端电极中靠熔体层的区域；端电极由表电极、背电极和侧电极组成，位于所述陶瓷基片上表面的所述表电极位于所述第一熔体层一侧；一中间具有圆形通孔的熔断本体，其端头制备有金属层，熔断芯片位于此熔断本体的圆形通孔内；熔断本体材料为氧化锆掺杂氧化铝陶瓷，其中氧化锆含量5%~20%；所述陶瓷基片材料为镁橄榄石陶瓷基板。本发明熔断器减少拉弧并且降低熔断后重新短路的风险，且具有耐高温、高强度，能很好地将熔丝与灭弧玻璃包裹在内。 微信 【专利类型】发明申请 【申请人】苏州晶讯科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】215163 江苏省苏州市高新区昆仑山路189号2号楼2楼西侧 【申请人地区】中国 【申请人城市】苏州市 【申请人区县】虎丘区 【申请号】CN201410215885.7 【申请日】2012-05-10 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103956307A 【公开公告日】2014-07-30 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN103956307B 【授权公告日】2016-02-10 【授权公告年份】2016.0 【IPC分类号】H01H85/041; H01H85/12; H01H85/143; H01H85/06; H01H85/38 【发明人】田伟; 龚建; 仇利民; 杨兆国 【主权项内容】一种高可靠性熔断器，包括熔断芯片(1)，此熔断芯片(1)主要由两个端电极(2)、陶瓷基片(3)、第一熔体层(4)和第一灭弧玻璃层(5)组成，所述第一熔体层(4)位于陶瓷基片(3)上表面，两个所述端电极(2)分别位于第一熔体层(4)两侧并与所述第一熔体层(4)电连接，所述第一灭弧玻璃层(5)覆盖于所述第一熔体层(4)和端电极(2)中靠熔体层的区域，其特征在于：所述端电极(2)由表电极(12)、背电极(13)和侧电极(14)组成，位于所述陶瓷基片(3)上表面的所述表电极(12)位于所述第一熔体层(4)一侧，所述端电极(2)中靠第一熔体层(4)的区域为此表电极(12)中的部分区域，所述背电极(13)位于所述陶瓷基片(3)下表面，所述侧电极(14)电连接所述表电极(12)和背电极(13)；一第二熔体层(17)位于陶瓷基片(3)下表面，两个所述背电极(13)分别位于所述第二熔体层(17)两侧并与所述第二熔体层(17)电连接；一第二灭弧玻璃层(18)覆盖于所述第二熔体层(17)和背电极(13)中靠第二熔体层(17)的区域；一中间具有圆形通孔(6)的熔断本体(7)，其端头制备有金属层(19)，所述熔断芯片(1)位于此熔断本体(7)的圆形通孔(6)内，两个金属盖(8)分别位于所述熔断本体(7)两端并覆盖其圆形通孔(6)从而形成密闭腔，所述端电极(2)通过焊片(9)与所述金属盖(8)电连接；所述熔断本体(7)材料为氧化锆掺杂氧化铝陶瓷，其中氧化锆含量5%~20%；所述陶瓷基片(3)材料为镁橄榄石陶瓷基板。 【当前权利人】苏州晶讯科技股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省苏州市高新区昆仑山路189号2号楼2楼西侧 【专利权人类型】股份有限公司(非上市、自然人投资或控股) 【统一社会信用代码】91320500673933534Y 【引证次数】4.0 【被引证次数】1 【他引次数】4.0 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】19.0 【家族被引证次数】8

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