【摘要】 本发明涉及负电荷泵电路和相关方法。总的来说，本发明提供了一种配置为提供一低于基准电压(例如地电压)的电压的负电荷泵电路。该电荷泵电路包括阻塞电路，其降低或消除电荷泄漏从而可在输出端处形成负电压。该电荷泵电路总体包括互补的MOS开关对，所述互补的MOS开关对根据互补的电容器上形成的电荷以互补方式切换以提供负电压电源。 【专利类型】发明授权 【申请人】快捷半导体(苏州)有限公司; 快捷半导体公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】215021 江苏省苏州市苏州工业园区苏桐路1号 【申请人地区】中国 【申请人城市】苏州市 【申请人区县】姑苏区 【申请号】CN201210579327.X 【申请日】2012-12-27 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103187869B 【公开公告日】2014-08-13 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN103187869B 【授权公告日】2014-08-13 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H02M3/07 【发明人】科奈斯·P·斯诺登 【主权项内容】一种负电荷泵电路，包括：第一PMOS/NMOS开关对，耦合在负电压输出端和基准电势之间；第二PMOS/NMOS开关对，耦合在所述负电压输出端和基准电势之间；第一电容器，具有耦合到第一时钟信号的正节点和耦合到所述第一PMOS/NMOS开关对及所述第二PMOS/NMOS开关对的负节点，所述第一时钟信号配置为对所述第一电容器充电，所述负节点配置为控制所述第二PMOS/NMOS开关对的导通状态；第二电容器，具有耦合到第二时钟信号的正节点和耦合到所述第二PMOS/NMOS开关对及所述第一PMOS/NMOS开关对的负节点，所述第二时钟信号配置为对所述第二电容器充电，所述负节点配置为控制所述第一PMOS/NMOS开关对的导通状态；第一阻塞电路，耦合到所述第一PMOS/NMOS开关对的PMOS开关并耦合到所述基准电势，所述第一阻塞电路配置为防止所述第一电容器的负节点处的电荷经所述第一PMOS/NMOS开关对的PMOS开关泄露到所述基准电势；和第二阻塞电路，耦合到所述第二PMOS/NMOS开关对中的PMOS开关并耦合到所述基准电势，所述第二阻塞电路配置为防止所述第二电容器的负节点处的电荷经所述第二PMOS/NMOS开关对的PMOS开关泄露到所述基准电势。 【当前权利人】快捷半导体(苏州)有限公司; 快捷半导体公司 【当前专利权人地址】江苏省苏州市苏州工业园区苏桐路1号; 美国亚利桑那州 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】91320594726665781W 【引证次数】4.0 【自引次数】1.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】17.0 【家族被引证次数】14

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