【摘要】 本发明公开了一种双面受光型晶体硅太阳电池的制备方法，包括如下步骤：(1)将原始硅片进行清洗，去除背面的损伤层；(2)将上述硅片的正面背靠背进行单面硼扩散，硅片背面为扩散面；(3)在扩散后的硅片背面沉积掩膜层；(4)将硅片的正面进行清洗，去除损伤层，制绒，去除绕射扩散层；(5)将硅片的背面背靠背进行单面磷扩散，硅片正面为扩散面；(6)去除扩散形成的周边结、杂质玻璃以及掩膜；(7)在硅片的两面分别沉积减反膜；(8)在硅片的两面分别印刷金属电极，烧结，即可得到双面受光型晶体硅太阳电池。本发明避免了绕射对电池电性能的影响，电池的光电效率可以提高0.3~0.5%，具有积极的现实意义。 【专利类型】发明授权 【申请人】苏州阿特斯阳光电力科技有限公司; 阿特斯(中国)投资有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】215129 江苏省苏州市苏州高新区鹿山路199号 【申请人地区】中国 【申请人城市】苏州市 【申请人区县】虎丘区 【申请号】CN201210090097.0 【申请日】2012-03-30 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102623563B 【公开公告日】2014-09-03 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102623563B 【授权公告日】2014-09-03 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L31/18 【发明人】殷涵玉; 王栩生; 章灵军 【主权项内容】1.一种双面受光型晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1) 将原始硅片进行清洗，去除背面损伤层；(2) 将上述硅片的正面背靠背进行单面硼扩散，硅片背面为扩散面；(3) 在扩散后的硅片背面沉积掩膜层；(4) 将硅片的正面进行清洗，去除损伤层，去除绕射扩散层，制绒；(5) 将硅片的背面背靠背进行单面磷扩散，硅片正面为扩散面；(6) 去除扩散形成的周边结、杂质玻璃以及掩膜；(7) 在硅片的两面分别沉积减反膜；(8) 在硅片的两面分别印刷金属电极，烧结，即可得到双面受光型晶体硅太阳电池。。 【当前权利人】苏州阿特斯阳光电力科技有限公司; 阿特斯阳光电力集团股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省苏州市高新区鹿山路199号; 江苏省苏州市高新区鹿山路199号 【专利权人类型】有限责任公司(非自然人投资或控股的法人独资); 有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】91320505788380992U; 91320505691330112T 【引证次数】4.0 【被引证次数】2 【他引次数】4.0 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】10

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