【摘要】 本发明公开了一种选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法，包括如下步骤：(1)表面清洗及织构化，然后采用单步扩散法对p型硅片进行轻扩散，制备p-n+结；(2)清洗刻蚀去边、镀减反射膜；(3)在硅片的镀膜面电极区域丝网印刷含磷的银浆料，形成p-n++结；(4)第一次烧结；(5)在硅片的非镀膜面印刷背电极和背电场；(6)第二次烧结，即可得到选择性发射极晶体硅太阳电池。本发明开发了一种新的制备选择性发射极晶体硅太阳电池的方法，该方法的制备成本较低，制备时间较短，且可与现有标准电池工艺兼容，具有产业化前景。 【专利类型】发明授权 【申请人】苏州阿特斯阳光电力科技有限公司; 阿特斯(中国)投资有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】215129 江苏省苏州市苏州高新区鹿山路199号 【申请人地区】中国 【申请人城市】苏州市 【申请人区县】虎丘区 【申请号】CN201210028525.7 【申请日】2012-02-09 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102593244B 【公开公告日】2014-12-24 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102593244B 【授权公告日】2014-12-24 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L31/18 【发明人】张为国; 王栩生; 章灵军 【主权项内容】1.一种选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1) 表面清洗及织构化，然后采用单步扩散法对p型硅片进行轻扩散，制备p-n+结；(2) 清洗刻蚀去边、镀减反射膜；(3) 在硅片的镀膜面电极区域丝网印刷含磷的银浆料，形成p-n++结；(4) 第一次烧结；(5) 在硅片的非镀膜面印刷背电极和背电场；(6) 第二次烧结，即可得到选择性发射极晶体硅太阳电池；所述步骤(3)中丝网印刷的含磷的银浆料的厚度为10~40微米；所述步骤(3)中，p-n++结的n++区的方块电阻为30~50Ω∕□；所述步骤(3)中，在硅片的镀膜面电极区域丝网印刷含磷的银浆料，使其表面的磷浓度为1020~1021cm-3。 【当前权利人】苏州阿特斯阳光电力科技有限公司; 阿特斯阳光电力集团股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省苏州市高新区鹿山路199号; 江苏省苏州市高新区鹿山路199号 【专利权人类型】有限责任公司(非自然人投资或控股的法人独资); 有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】91320505788380992U; 91320505691330112T 【引证次数】4.0 【他引次数】4.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】7

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