【摘要】本发明公开了一种闪存单元,包括半导体基板;半导体基板的上表面设置有栅氧化层,栅氧化层的上表面设置有下多晶硅栅极,下多晶硅栅极的上表面设置有介电层,介电层的上表面设置有上多晶硅栅层;上多晶硅栅层的上表面,以及上多晶硅栅层、介电层与下多
【摘要】 本发明涉及一种溶解铜制备氧化铜的方法,其将铜、氨水,以及粉末状的碳酸氢铵或碳酸铵或碳酸氢铵和碳酸铵的混合物投入到反应容器中,控制体系温度30℃~55℃之间,体系压强在1atm~2atm之间,不断搅拌的同时通入空气或氧气,进行反应,同时,设置循环装置将从反应容器中挥发的氨气和二氧化碳回收后重新送至反应容器中参与反应,当升高温度体系压强不再变化时,结束反应,将反应体系中未溶解的铜除去,过滤,保留滤饼,洗涤,在温度500℃~700℃下烧结即得纯度大于等于99%的氧化铜。本发明方法原料易得,价格低廉,对设备要求不高,对环境没有污染,铜溶解速率快,极大地降低了氧化铜的生产成本低。 【专利类型】发明授权 【申请人】昆山德阳新材料科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】215332 江苏省苏州市昆山市花桥镇徐公桥路2号中茵商务花园D区7楼1126室 【申请人地区】中国 【申请人城市】苏州市 【申请人区县】昆山市 【申请号】CN201210068019.0 【申请日】2012-03-15 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102602977B 【公开公告日】2014-04-09 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102602977B 【授权公告日】2014-04-09 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】C01G3/02 【发明人】廖奕坤; 李高锋; 朱婷 【主权项内容】一种溶解铜制备氧化铜的方法,其特征在于:将铜、氨水,以及粉末状的碳酸氢铵投入到反应容器中,控制体系温度30℃~55℃之间,体系压强在1atm~2atm之间,不断搅拌的同时通入空气或氧气,进行反应,同时,设置循环装置将从反应容器中挥发的氨气和二氧化碳回收后重新送至反应容器中参与反应,当升高温度体系压强不再变化时,结束反应,将反应体系中未溶解的铜除去,过滤,保留滤饼,洗涤,在温度400℃~800℃下烧结即得纯度大于等于99%的氧化铜,其中,所述铜、氨水以及所述碳酸氢铵的投料摩尔比为1 : 1~1.1 : 1.1~4.5,所述氨水的浓度为10wt%~30wt%,其中,反应开始时,先控制体系50℃~55℃使碳酸氢铵分解,待体系压强上升至1.5~1.6atm,在5min~10min内将体系温度降至30℃~40℃,确保体系压强不超过2atm,继续反应,当体系压强下降至1.2atm时,再升高温度至50℃~55℃,如此循环直至反应结束。 【当前权利人】昆山市大洋环境净化有限公司 【当前专利权人地址】江苏省苏州市昆山市千灯镇少卿东路58号 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91320583566864502X 【引证次数】3.0 【被引证次数】2 【他引次数】3.0 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】6
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