【摘要】 本发明公开了一种闪存单元，包括半导体基板；半导体基板的上表面设置有栅氧化层，栅氧化层的上表面设置有下多晶硅栅极，下多晶硅栅极的上表面设置有介电层，介电层的上表面设置有上多晶硅栅层；上多晶硅栅层的上表面，以及上多晶硅栅层、介电层与下多晶硅栅极的一侧面均设置有氧化层；上多晶硅栅层、介电层与下多晶硅栅极的侧面的氧化层上设置有多晶硅层。本发明还公开了一种制造闪存单元的方法。本发明所述的闪存单元仅包括1.5个晶体管，且源极和控制栅极之间的间距较小，因此其面积较小，克服了传统的闪存单元的面积较大的技术缺陷，因此可以广泛应用于半导体技术领域中。 【专利类型】发明申请 【申请人】和舰科技(苏州)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】215123 江苏省苏州市苏州工业园区星华街333号 【申请人地区】中国 【申请人城市】苏州市 【申请号】CN201210246930.6 【申请日】2012-07-17 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103545315A 【公开公告日】2014-01-29 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN103545315B 【授权公告日】2016-09-07 【授权公告年份】2016.0 【IPC分类号】H01L27/115; H01L21/8247 【发明人】林志宏 【主权项内容】一种闪存单元，其特征在于，包括半导体基板；所述半导体基板的上表面设置有栅氧化层，所述栅氧化层的上表面设置有下多晶硅栅极，所述下多晶硅栅极的上表面设置有介电层，所述介电层的上表面设置有上多晶硅栅层；所述上多晶硅栅层的上表面，以及上多晶硅栅层、所述介电层与所述下多晶硅栅极的一侧面均设置有氧化层；所述上多晶硅栅层、所述介电层与所述下多晶硅栅极的一侧面的氧化层上设置有多晶硅层。 【当前权利人】和舰芯片制造(苏州)股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省苏州市苏州工业园区星华街333号 【专利权人类型】有限责任公司(中外合资) 【统一社会信用代码】91320594732513557J 【引证次数】3.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】3.0

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