【摘要】本发明提出一种在Flash芯片制造过程中应用多晶硅源极接触窗的方法，该方法包括：步骤1：对Flash芯片进行层间介质沉积；步骤2：用一块光罩打开源极的区域，而后沉积一层多晶硅；步骤3：把多晶硅蚀刻到浮动阈值以下，然后进行植入掺杂；步
【摘要】 本发明公开了一种玻璃阪东机用真空吸片装置，包括：真空泵、真空罐、真空设定装置及吸盘，所述真空泵通过管道与真空罐的顶部连接，所述真空罐的一侧通过管道连接所述吸盘，在连接所述真空罐和所述吸盘的管道上设置所述真空设定装置。本发明公开的玻璃阪东机用真空吸片装置取代了之前的手工操作，设计成自动开关控制压力，且可随意设置真空度，可有效提高效率，同时降低成本和损失。 【专利类型】发明申请 【申请人】昆山冠益玻璃有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】215343 江苏省昆山市石浦兴浦南路696号 【申请人地区】中国 【申请人城市】苏州市 【申请人区县】昆山市 【申请号】CN201210318566.X 【申请日】2012-08-31 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103662833A 【公开公告日】2014-03-26 【公开公告年份】2014 【IPC分类号】B65G47/91; B65G49/06 【发明人】黄文良; 赖志成 【主权项内容】一种玻璃阪东机用真空吸片装置，其特征在于，包括：真空泵、真空罐、真空设定装置及吸盘，所述真空泵通过管道与真空罐的顶部连接，所述真空罐的一侧通过管道连接所述吸盘，在连接所述真空罐和所述吸盘的管道上设置所述真空设定装置。 【当前权利人】昆山冠益玻璃有限公司 【当前专利权人地址】江苏省昆山市石浦兴浦南路696号 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】913205837468203205 【引证次数】6.0 【自引次数】1.0 【他引次数】5.0 【家族引证次数】6.0
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