【摘要】本发明公开一种具有缓冲卸力功能的防冲机构，该机构包括止动件、平衡摆、限位轴、复位弹簧、销轴和旋转轴，所述平衡摆包括顶杆、转轴、压缩弹簧和夹板；外围设备为断路器的主轴和支架。当断路器在分闸状态下受到强冲击时，平衡摆在冲击力的作用下转入
【摘要】 本发明提出一种在Flash芯片制造过程中应用多晶硅源极接触窗的方法，该方法包括：步骤1：对Flash芯片进行层间介质沉积；步骤2：用一块光罩打开源极的区域，而后沉积一层多晶硅；步骤3：把多晶硅蚀刻到浮动阈值以下，然后进行植入掺杂；步骤4：把源极打开的区域用磷硅玻璃填起来，然后进行化学机械抛光；步骤5：做触点蚀刻，利用氧化物/多晶硅蚀刻的高选择比，使其停在源极的多晶硅上。本发明提出的方法和传统方法相比，多了步骤2、3和4，这样能够缩小源极和控制栅之间的距离，有效减小Flash芯片面积。 【专利类型】发明申请 【申请人】和舰科技(苏州)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】215123 江苏省苏州工业园区星华街333号 【申请人地区】中国 【申请人城市】苏州市 【申请号】CN201210265281.4 【申请日】2012-07-27 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103579120A 【公开公告日】2014-02-12 【公开公告年份】2014 【IPC分类号】H01L21/8247 【发明人】李煦 【主权项内容】一种在Flash芯片制造过程中应用多晶硅源极接触窗的方法，其特征在于，所述方法包括：步骤1：对Flash芯片进行层间介质沉积；步骤2：用一块光罩打开源极的区域，而后沉积一层多晶硅；步骤3：把多晶硅蚀刻到浮动阈值以下，然后进行植入掺杂；步骤4：使用磷硅玻璃填充源极打开的区域，然后进行化学机械抛光；步骤5：做触点蚀刻，利用氧化物/多晶硅蚀刻的高选择比，使其停在源极的多晶硅上。 -官网 【当前权利人】和舰科技(苏州)有限公司 【当前专利权人地址】江苏省苏州工业园区星华街333号 【专利权人类型】有限责任公司(中外合资) 【统一社会信用代码】91320594732513557J 【引证次数】4.0 【被引证次数】1 【他引次数】4.0 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】1
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