【摘要】本发明公开一种排气型压敏胶粘剂的制备工艺,所述排气型压敏胶粘剂由以下质量百分含量的物质经反应后制得:有机硅胶粘剂30~35%,α, ω-二羟基聚硅氧烷4~5%,银催化剂2~3%,含铬有机络合物15~20%,甲基戊炔醇1~2%,MDQ
【摘要】 本发明公开了一种表面等离子体纳米光刻结构,包括上基底层、下基底层、共振腔和金属光栅层,所述共振腔和金属光栅层设于所述上基底层和下基底层之间,所述共振腔包括第一金属层、第二金属层和光刻胶层,所述光刻胶层设于所述第一金属层和第二金属层之间,所述金属光栅层包括第一光栅层和第二光栅层,所述第一光栅层位于所述上基底层和第一金属层之间,所述第二光栅层位于所述下基底层和第二金属层之间。本发明还公开了一种表面等离子体纳米光刻方法。利用第一光栅层和第二光栅层来激发第一金属层与光刻胶层以及第二金属层与光刻胶层界面的表面等离子波,从而可以大大提高光刻技术的分辨率;另外,本发明采用双光束曝光,可以实现良好的曝光深度和可见度。 【专利类型】发明授权 【申请人】苏州大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】215123 江苏省苏州市工业园区仁爱路199号 【申请人地区】中国 【申请人城市】苏州市 【申请号】CN201210116763.3 【申请日】2012-04-19 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102636967B 【公开公告日】2014-02-26 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102636967B 【授权公告日】2014-02-26 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】G03F7/20; G03F7/00 【发明人】王钦华; 陈根华; 楼益民; 曹冰; 许富洋 【主权项内容】一种表面等离子体纳米光刻结构,包括上基底层、下基底层、共振腔和金属光栅层,所述共振腔和金属光栅层设于所述上基底层和下基底层之间,其特征在于:所述金属光栅层包括第一光栅层和第二光栅层,所述共振腔位于所述第一光栅层和所述第二光栅层之间,所述共振腔包括光刻胶层,所述共振腔还包括第一金属层和第二金属层,所述光刻胶层设于所述第一金属层和第二金属层之间。 【当前权利人】苏州大学 【当前专利权人地址】江苏省苏州市工业园区仁爱路199号 【统一社会信用代码】123200004660073435 【被引证次数】2 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】15
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