【摘要】 本发明提供一种波导型等离子体共振传感器芯片的制作方法，包括以下步骤：制备带有图案的凸膜及金属墨水；使用纳米压印法将所述凸膜的图案压印到柔性衬底上，使所述柔性衬底上形成与所述图案对应的凹槽；将所述金属墨水在所述凹槽内印刷制膜。本发明方法适用于波导型等离子体共振传感器芯片的制作，且该方法工艺简单，能大面积、大规模、低成本地生产上述传感器芯片，有能力解决传感器芯片的制备需求，很好地满足目前的实际需要。 【专利类型】发明授权 【申请人】中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】215123 江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区若水路398号 【申请人地区】中国 【申请人城市】苏州市 【申请号】CN201210153737.8 【申请日】2012-05-17 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102654458B 【公开公告日】2014-04-16 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102654458B 【授权公告日】2014-04-16 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】G01N21/55; G01N21/552 【发明人】潘革波; 李岩; 肖燕 【主权项内容】一种波导型表面等离子体共振传感器芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：Ⅰ、准备带有图案的凸膜、金属墨水、波导墨水；Ⅱ、使用纳米压印法将所述凸膜的图案压印到柔性衬底(1)上，使所述柔性衬底(1)上形成与所述图案对应的凹槽(2)；Ⅲ、将所述波导墨水印刷在所述凹槽(2)内，在90~110℃条件下进行加热烘干，固化后形成15μm-30μm之间厚度均匀的波导层(3)；Ⅳ、将所述金属墨水在所述印刷在所述波导层(3)表面，在90~110℃条件下进行加热烘干，固化后形成金属膜(4)。 【当前权利人】中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 【当前专利权人地址】江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区若水路398号 【统一社会信用代码】12100000717826387T 【引证次数】4.0 【自引次数】1.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】6

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