【摘要】 一种太阳能电池，该太阳能电池包括具有第一型或者第二型掺杂基板，其中，所述基板具有第一表面和与该第一表面相对的第二表面，在所述基板中包含第一型掺杂区以及第二型掺杂区；所述第一型掺杂区和第二型掺杂区均位于所述基板的第一表面上；在与所述第一掺杂区相邻的所述基板的侧表面，存在第一基片，以及在与所述第二掺杂区相邻的所述基板的侧表面，存在第二基片。相应地，本发明还提供了一种太阳能电池的制造方法、以及利用上述太阳能电池构成的太阳能电池组件及其制造方法。与现有技术相比，当太阳能电池厚度比较薄的情况下，本发明所提供的太阳能电池可以有效地收集光生载流子，进而提高太阳能电池的电流密度、以及太阳能电池的光电转换效率。 【专利类型】发明申请 【申请人】聚日(苏州)科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】215123 江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区林泉街399号明德院6号楼309室东南大学科技园 【申请人地区】中国 【申请人城市】苏州市 【申请号】CN201210261770.2 【申请日】2012-07-26 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103579407A 【公开公告日】2014-02-12 【公开公告年份】2014 【IPC分类号】H01L31/18; H01L31/05 【发明人】骆志炯; 朱慧珑; 尹海洲 【主权项内容】一种太阳能电池阵列的制造方法，该方法包括：a)提供具有第一型或者第二型掺杂的衬底(100)，所述衬底(100)包括第一表面(101)和与该第一表面(101)相对的第二表面(102)；b)从所述衬底(100)的第一表面(101)形成至少两个第一沟槽(300)，从所述衬底(100)的第二表面(102)形成至少一个第二沟槽(301)，其中，每个所述第二沟槽(301)位于相邻的两个所述第一沟槽(300)之间，且所述第一沟槽(300)和第二沟槽(301)的深度小于所述衬底(100)的厚度；c)对所述第一沟槽(300)的侧壁进行掺杂，在所述侧壁上形成第一型掺杂区(400)；d)去除所述第一沟槽(300)和第二沟槽(301)底部的部分所述衬底(100)，使得第一沟槽(300)和第二沟槽(301)的深度仍然小于所述衬底(100)的厚度；e)在所述第一沟槽(300)的侧壁上形成保护层(401)；f)继续去除所述第一沟槽(300)和第二沟槽(301)底部的部分或者全部所述衬底(100)，形成多个平行的基板(500)，其中，相邻的两个所述基板(500)由基片相连接；g)对所述第一沟槽(300)的侧壁进行掺杂，其中，掺杂杂质类型与步骤c)中相反，在所述第一沟槽(300)的未被所述保护层(401)覆盖的侧壁上形成第二掺杂区(402)，以形成竖直太阳能电池阵列。。 【当前权利人】聚日(苏州)科技有限公司 【当前专利权人地址】江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区林泉街399号明德院6号楼309室东南大学科技园 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】9132059456183366XX 【引证次数】7.0 【被引证次数】4 【他引次数】7.0 【被他引次数】4.0 【家族引证次数】9.0 【家族被引证次数】14

未经允许不得转载：http://www.zhongzhencnc.com/1790620650.html