【摘要】 本发明公开了一种GaN基发光二极管、其制备方法及应用。该发光二极管包括顺次叠设的第一N型GaN层、P型GaN层、多量子阱有源层以及第二N型GaN层，其中，第一N型GaN层生长在第一衬底上或第二N型GaN层连接在第二衬底上，以及第一或第二N型GaN层上还连接有透明导电层；其制备方法为：在第一衬底上生长设定缓冲层，再依次生长形成前述结构层；其后在第二N型GaN层上连接透明导电层，或者在第二N型GaN层上连接第二衬底，而将第一衬底剥离，并在第一N型GaN层上连接透明导电层。本发明半导体材料层的厚度小，生长时间短，生产效率高，且与透明导电电极接触的N型GaN层无需重掺杂，降低因为前述结构层重掺杂而对光的吸收，产品良率和发光效率高。 【专利类型】发明申请 【申请人】苏州纳方科技发展有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】215123 江苏省苏州市工业园区若水路398号 【申请人地区】中国 【申请人城市】苏州市 【申请号】CN201210305178.8 【申请日】2012-08-24 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103633206A 【公开公告日】2014-03-12 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN103633206B 【授权公告日】2016-08-17 【授权公告年份】2016.0 【IPC分类号】H01L33/04; H01L33/42; H01L33/00 【发明人】梁秉文 【主权项内容】一种GaN基发光二极管，其特征在于，它包括在选定缓冲层上顺次叠设的第一N型GaN层、P型GaN层、多量子阱有源层以及第二N型GaN层，其中，所述第一N型GaN层生长在第一衬底上或所述第二N型GaN层连接在第二衬底上，以及，所述第一N型GaN层或第二N型GaN层上还连接有透明导电层。 ： 【当前权利人】苏州纳方科技发展有限公司 【当前专利权人地址】江苏省苏州市工业园区若水路398号 【专利权人类型】有限责任公司(非自然人投资或控股的法人独资) 【统一社会信用代码】913205946849477124 【引证次数】6.0 【被引证次数】1 【他引次数】6.0 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】6.0 【家族被引证次数】1

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