【摘要】本发明公开一种低导通电阻的横向扩散MOS半导体器件,包括:位于P型的衬底层内的P型阱层和N型轻掺杂层;源极区和N型轻掺杂层之间区域的P型阱层上方设有栅氧层;源极区与N型轻掺杂层之间且位于P型阱层上部开有至少两个凹槽,此凹槽的刻蚀深度
【摘要】 本发明公开了一种高净化率、高强度蜂窝陶瓷,它由如下重量份数的组分组成:30~50堇青石、20~40份氧化铝、2~8份三氧化二钇、2~10份二氧化钛、10-20份粘土、10-25份滑石粉、2-8份硬脂酸、10-26份去离子水。本发明的高净化率、高强度蜂窝陶瓷较现有技术相比,采用特殊配比的稀土金属和二氧化钛等原料制成,不仅价格低廉,而且具有较高的净化率,同时还具有强度高、耐高温、使用寿命长的优点,可在1500~1700℃温度下使用,其制备工艺简单,烧成温度下降,能达到节能降耗的目的。 【专利类型】发明申请 【申请人】苏州忠辉蜂窝陶瓷有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】215424 江苏省苏州市太仓市浮桥镇新亚村崖山路168号 【申请人地区】中国 【申请人城市】苏州市 【申请人区县】太仓市 【申请号】CN201210200523.1 【申请日】2012-06-18 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103508747A 【公开公告日】2014-01-15 【公开公告年份】2014 【IPC分类号】C04B38/00; C04B35/195; C04B35/622 【发明人】杨忠辉 【主权项内容】1.一种高净化率、高强度蜂窝陶瓷,其特征在于它由如下重量份数的组成: 堇青石 30~50份 氧化铝 20~40份三氧化二钇 2~8份二氧化钛 2~10份 粘土 10-20份 滑石粉 10-25份 硬脂酸 2-8份 去离子水 10-26份。 【当前权利人】苏州忠辉蜂窝陶瓷有限公司 【当前专利权人地址】江苏省苏州市太仓市浮桥镇新亚村崖山路168号 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】913205857682600618 【引证次数】2.0 【被引证次数】1 【他引次数】2.0 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】1
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