【摘要】一种含双栅增强型HEMT器件的集成系统,包括基座以及安装在基座上的双栅四端III族氮化物增强型HEMT器件,该器件包括异质结构以及通过异质结构中的二维电子气形成电连接的源、漏极,该异质结构包括:设置于源、漏极之间的第一半导体,形成于
【摘要】 本发明提出了一种高精度的频率估计方法,系统启动后,根据用户输入决定系统进入相应的处理模块,当用户选择进入配置模式时,用户可选择单频率估计模式和特定功能配置模式两种模式。当用户选择单频率估计模式时,用户输入参考频率或者从特定功能模式下存储的频率中选择参考频率,并存储参考频率到系统中;当用户选择特定功能配置模式时,用户输入一组参考频率和对应标识信息并存储于系统配置信息中,用户可以根据实际应用配置多组特定功能,每次开始频率估计时仅有一组特定功能起作用。本发明的高精度的频率估计方法,是数字方式频率估计方法,仅仅需要较小的时间复杂度和空间复杂度,实现高精度频率估计,理论上可以达到任意精度。 【专利类型】发明授权 【申请人】苏州大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】215000 江苏省苏州市工业园区仁爱路199号 【申请人地区】中国 【申请人城市】苏州市 【申请人区县】吴中区 【申请号】CN201210294926.7 【申请日】2012-08-20 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103234623B 【公开公告日】2014-12-10 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN103234623B 【授权公告日】2014-12-10 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】G01H17/00 【发明人】胡剑凌; 邵雷; 郝业 【主权项内容】ean,估计出输入频率fr和参考频率f0之间的频率差Δf,fr=f0+Δf,其中T是采样周期。 【当前权利人】胜达克半导体科技(上海)股份有限公司 【当前专利权人地址】上海市青浦区华浦路480号1幢1层103室 【统一社会信用代码】123200004660073435 【引证次数】5.0 【他引次数】5.0 【家族引证次数】5.0
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