【摘要】 本发明公开一种低导通电阻的横向扩散MOS半导体器件，包括：位于P型的衬底层内的P型阱层和N型轻掺杂层；源极区和N型轻掺杂层之间区域的P型阱层上方设有栅氧层；源极区与N型轻掺杂层之间且位于P型阱层上部开有至少两个凹槽，此凹槽的刻蚀深度为源极区结深的1/4～1/5之间；N型轻掺杂层由第一N型轻掺杂区、第二N型轻掺杂区和P型轻掺杂区组成；所述第一N型轻掺杂区的掺杂浓度高于所述P型轻掺杂区的掺杂浓度，所述P型轻掺杂区的掺杂浓度高于所述第二N型轻掺杂区的掺杂浓度；所述第一N型轻掺杂区与第二N型轻掺杂区的掺杂浓度比例范围为：1.2∶1～1.3∶1。本发明功率MOS半导体器件减小了器件体积，同时改善了器件的响应时间和频率特性，实现了器件性能参数的长时间稳定性。 【专利类型】发明授权 【申请人】苏州市职业大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】215104 江苏省苏州市吴中区国际教育园致能大道106号 【申请人地区】中国 【申请人城市】苏州市 【申请人区县】吴中区 【申请号】CN201210014741.6 【申请日】2012-01-18 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102569404B 【公开公告日】2014-11-26 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102569404B 【授权公告日】2014-11-26 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L29/78; H01L29/10; H01L29/36 【发明人】陈伟元 【主权项内容】一种低导通电阻的横向扩散MOS半导体器件，包括：位于P型的衬底层(1)内的P型阱层(2)和N型轻掺杂层(3)，所述P型阱层(2)与N型轻掺杂层(3)在水平方向相邻从而构成一PN结，一源极区(4)位于所述P型阱层(2)，一漏极区(5)位于所述衬底层(1)内，位于所述源极区(4)和N型轻掺杂层(3)之间区域的P型阱层(2)上方设有栅氧层(7)，此栅氧层(7)上方设有一栅极区(8)；其特征在于：所述源极区(4)与N型轻掺杂层(3)之间且位于P型阱层(2)上部开有至少两个凹槽(11)，此凹槽(11)的刻蚀深度为源极区(4)结深的1/4～1/5之间；所述N型轻掺杂层(3)由第一N型轻掺杂区(9)、第二N型轻掺杂区(10)和P型轻掺杂区(6)组成；所述第一N型轻掺杂区(9)的掺杂浓度高于所述P型轻掺杂区(6)的掺杂浓度，所述P型轻掺杂区(6)的掺杂浓度高于所述第二N型轻掺杂区(10)的掺杂浓度；所述第一N型轻掺杂区(9)与第二N型轻掺杂区(10)的掺杂浓度比例范围为：1.2∶1～1.3∶1；所述第一N型轻掺杂区(9)位于所述第二N型轻掺杂区(10)上方；所述P型轻掺杂区(6)在水平方向上位于所述第一N型轻掺杂区(9)的中央区域且此P型轻掺杂区(6)在垂直方向上位于所述第一N型轻掺杂区(9)中央区域的中下部并与所述第二N型轻掺杂区(10)表面接触；所述凹槽(11)的侧墙区(12)和顶墙区(13)的掺杂浓度相等，且为凹槽(11)的底部区(14)掺杂浓度的86～94％之间；所述第一N型轻掺杂区(9)与P型轻掺杂区(6)的掺杂浓度比例为：1.08∶1。。： 【当前权利人】苏州市职业大学 【当前专利权人地址】江苏省苏州市吴中区国际教育园致能大道106号 【引证次数】3.0 【自引次数】1.0 【他引次数】2.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】3

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