【摘要】 本发明公开了一种快速开关的高压触发管，是一种无门极的可控硅结构，但是采用的是P型衬底。不同于固体放电管或可控硅采用N型衬底，本发明中的高压触发管采用P型衬底，两侧为N长基区，形成主三极管为NPN结构，使其有较高的电流放大倍数，呈现负阻特性，在N长基区的下方分别设有埋层，芯片的外表面分别设置有镀镍合金层，用来分别连接两个金属电极，在P型衬底分别与两侧N长基区结合处蚀刻有外沟槽，沟槽边上有钝化玻璃粉层。本高压触发管具有开关速度快，开通瞬间负阻特性，触发电压高(100-360V)通流能力强、降低生产成本等优点，在高温高压场合，诸如金属卤素灯、高压钠灯，高温烤箱、烤炉、离子发生器，脉冲发生器，时钟等领域具有较大的使用价值。 【专利类型】发明授权 【申请人】王萌 【申请人类型】个人 【申请人地址】215021 江苏省苏州市工业园区新加花园54幢108室 【申请人地区】中国 【申请人城市】苏州市 【申请人区县】吴中区 【申请号】CN201210229211.3 【申请日】2012-07-04 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102760774B 【公开公告日】2014-11-26 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102760774B 【授权公告日】2014-11-26 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L29/87; H01L29/06; H03K17/70; H05B41/282 【发明人】王萌 【主权项内容】一种触发管，其特征在于：其包括P型衬底、分别位于P型衬底两侧的两个N长基区、分别设置在每个N长基区上的P型发射极、覆盖于每个N长基区及P型发射极的外侧表面的合金层以及连接于合金层上的金属电极，其中在P型衬底与两侧的N长基区的结合处分别蚀刻有外沟槽，外沟槽边上覆盖有钝化玻璃粉层；其还包括有设于每个N长基区和P型衬底之间的P型埋层。。 【当前权利人】无锡明芯微电子有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A3幢4层407 【引证次数】4.0 【自引次数】1.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】4.0

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