【摘要】 本发明提供一种用于测试六管SRAM的漏电流的半导体测试结构，属于SRAM技术领域。该半导体测试结构中，其前端结构包括按行和列排列的六管SRAM单元，其后端结构包括从奇数列的六管SRAM单元的第一扩散区引出的第一焊盘、从偶数列的六管SRAM单元的第一扩散区引出的第二焊盘、从奇数列的六管SRAM单元的第二扩散区引出的第三焊盘(PAD3)、从偶数列的六管SRAM单元的第二扩散区引出的第四焊盘、从第一扩散区所在的第一阱中引出的第五焊盘、从第二扩散区所在的第二阱中引出的第六焊盘以及从栅极引出的第七焊盘。该半导体测试结构可以全面地测试6T-SRAM的各种器件相关的漏电流。。 【专利类型】发明申请 【申请人】无锡华润上华半导体有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201210252697.2 【申请日】2012-07-20 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103579191A 【公开公告日】2014-02-12 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN103579191B 【授权公告日】2016-06-15 【授权公告年份】2016.0 【IPC分类号】H01L23/544; H01L27/11 【发明人】孙晓峰 【主权项内容】1.一种半导体测试结构，其用于测试六管SRAM的漏电流，所述半导体测试结构包括基本形成于半导体衬底中的所述六管SRAM的前端结构，多个包括第一上拉晶体管、第二上拉晶体管、第一下拉晶体管、第二下拉晶体管、第一传输晶体管以及第二传输晶体管的六管SRAM单元按行和列排列形成所述六管SRAM，在所述前端结构中，所述六管SRAM单元的第一上拉晶体管和第二上拉晶体管形成于第一掺杂类型的第一阱中，所述六管SRAM单元的第一下拉晶体管、第二下拉晶体管、第一传输晶体管和第二传输晶体管形成于第二掺杂类型的第二阱中；其特征在于，在所述半导体测试结构的后端结构包括第一焊盘、第二焊盘、第三焊盘、第四焊盘、第五焊盘、第六焊盘和第七焊盘；奇数列的所述六管SRAM单元所对应的第一阱中的、用于形成所述第一上拉晶体管和第二上拉晶体管的源区和漏区的、第二掺杂类型的第一扩散区被引出至所述第一焊盘，偶数列的所述六管SRAM单元所对应的第一阱中的、用于形成所述第一上拉晶体管和第二上拉晶体管的源区和漏区的、第二掺杂类型的第一扩散区被引出至所述第二焊盘，奇数列的所述六管SRAM单元所对应的第二阱中的、用于形成第一下拉晶体管、第二下拉晶体管、第一传输晶体管和第二传输晶体管的源区/漏区的、第一掺杂类型的第二扩散区被引出至所述第三焊盘，偶数列的所述六管SRAM单元所对应的第二阱中的、用于形成第一下拉晶体管、第二下拉晶体管、第一传输晶体管和第二传输晶体管的源区和漏区的、第一掺杂类型的第二扩散区被引出至所述第四焊盘，所述第一阱被引出至所述第五焊盘，所述第二阱被引出至所述第六焊盘，所述第一传输晶体管和第二传输晶体管的栅极被引出至所述第七焊盘；其中，所述第一掺杂类型与所述第二掺杂类型为相反的掺杂类型。 【当前权利人】无锡华润上华科技有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 【专利权人类型】有限责任公司(外商合资) 【统一社会信用代码】91320214714903842J 【引证次数】6.0 【被引证次数】14 【他引次数】6.0 【被他引次数】14.0 【家族引证次数】6.0 【家族被引证次数】14

未经允许不得转载：http://www.zhongzhencnc.com/1790335814.html