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带有高效能预加重均衡的电压型数据发送器专利

时间:2026-09-25    作者:admin 点击: ( 2 ) 次

【摘要】 本发明公布了带有高效能预加重均衡的电压型数据发送器,能够根据发送数据信号当前位及其前一位的电平高低,自动配置主发送电路和预加重电路的驱动电流的权重,使系统发送信号低频成分时预加重电路有效地关闭,克服了现行带预加重均衡的电压型发送器在发送信号低频成分时能量存在较大浪费的缺陷,大大提高了发送器的效能,在较高预加重强度下,本发明节省功耗60%以上。本发明包括一个由偏置电压可调的差分驱动电路组成的主发送电路、一个偏置电流可调的差分驱动组成的预加重电路、一个能根据输出幅度和预加重强度要求自适应配置发送器的偏置电路。本发明可用于各种数据通信系统中,特别是在高速数据通信中体现出高效能的特点。 (,) 【专利类型】发明授权 【申请人】无锡芯骋微电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214072 江苏省无锡市滨湖区蠡园开发区滴翠路100号五三零大厦2号楼902室 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201210036315.2 【申请日】2012-02-17 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102545884B 【公开公告日】2014-04-16 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102545884B 【授权公告日】2014-04-16 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H03K19/094 【发明人】盖伟新; 何金杰 【主权项内容】一种带有高效能预加重均衡的电压型数据发送器,其特征是:包含一个主发送电路、一个或多个预加重电路以及偏置电路,主发送电路和预加重电路的差分输出端分别短接,实现对输出信号的预加重均衡;其中的主发送电路至少包括第一、第二、第三PMOS晶体管和第一、第二、第三NMOS晶体管以及第一、第二运算放大器;第一PMOS晶体管的源极接电源,栅极接第一运算放大器的输出端,漏极与第二和第三PMOS晶体管的源极相接,并连接到第一运算放大器的正相输入端;第一NMOS晶体管源极接地,栅极连接到第二运算放大器的输出端,漏极连接到第二和第三NMOS晶体管的源极,并连接到第二运算放大器的正相输入端;第二和第三PMOS晶体管的源极短接,第二和第三NMOS晶体管的源极短接,第二PMOS晶体管与第二NMOS晶体管的漏极和栅极分别对应相接,第三PMOS晶体管与第三NMOS晶体管的漏极和栅极分别对应相接,第二PMOS晶体管、第三PMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第三NMOS晶体管的导通电阻均和传输媒介的输入阻抗匹配;其中的预加重电路至少包含第四、第五、第六PMOS晶体管以及第四、第五、第六NMOS晶体管;第五和第六PMOS晶体管的源极相连,第五和第六NMOS晶体管的源极相连,第五PMOS晶体管的漏极和第五NMOS晶体管的漏极相连,第六PMOS晶体管的漏极和第六NMOS晶体管的漏极相连;第四PMOS晶体管的源极接固定高电位,栅极连接偏置电压,漏极连接到第五和第六PMOS晶体管的源极;第四NMOS晶体管的源极接固定低电位,栅极连接偏置电压,漏极连接到第五和第六NMOS晶体管的源极;其中的偏置电路包含第七和第八PMOS晶体管、第七NMOS晶体管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第三运算放大器;第七PMOS晶体管的源极接固定高电位,栅极和漏极分别连接第三运算放大器的输出端和正相输入端,漏极顺序串接所述第一到第四电阻,第四电阻的另一端连接低电位;第八PMOS晶体管和第七PMOS晶体管的源极和栅极分别相连,第七NMOS晶体管的源极接低电位,漏极和栅极短接并和第八PMOS晶体管的漏极相连;第一、第二、第三、第四电阻是四个完全相同的电阻,四个电阻的阻值和传输媒介的阻抗匹配,第七PMOS晶体管的偏置电流为输出差分信号的低频部分幅度的峰峰值除以两倍的传输媒介的差分阻抗;所述偏置电路的所述第七PMOS晶体管的栅极和所述预加重电路的所述第四PMOS晶体管栅极相连,所述偏置电路的所述第七NMOS晶体管的栅极和所述预加重电路的所述第四NMOS晶体管栅极相连。 【当前权利人】无锡芯骋微电子有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市滨湖区蠡园开发区滴翠路100号五三零大厦2号楼902室 【专利权人类型】有限责任公司(自然人投资或控股) 【统一社会信用代码】91320211550253563Q 【引证次数】4.0 【自引次数】1.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】12

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