【摘要】 一种大电流P型绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管，包括：N型衬底，在N型衬底上设有埋氧层，在埋氧层上设有P型外延层，在P型外延层内部设有P型缓冲阱区、N型体区和P型中心缓冲阱区，在P型缓冲阱区内设有N型漏区，在N型体区中设有P型源区和N型体接触区，在P型中心缓冲阱区内设有P型基区和N型发射区，在P型外延层的表面设有栅氧化层和场氧化层，在栅氧化层的表面设有多晶硅栅，晶体管表面一定范围内还设有钝化层和金属层，其特征在于，晶体管为对称型结构，N型漏区上的漏极金属分别与对应的P型基区上的基极金属通过金属层连通，并从N型发射区输出，这种结构可以在不增加晶体管面积的基础上有效提高电流密度。 【专利类型】发明授权 【申请人】东南大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】214135 江苏省无锡市新区菱湖大道99号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201210343232.8 【申请日】2012-09-14 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102956696B 【公开公告日】2014-12-10 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102956696B 【授权公告日】2014-12-10 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L29/739; H01L29/08; H01L29/06 【发明人】孙伟锋; 陈扬; 朱荣霞; 刘斯扬; 钱钦松; 陆生礼; 时龙兴 【主权项内容】一种包含大电流P型绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管的半导体器件，包括：N型硅衬底(1)，在N型硅衬底(1)上设有埋氧层(2)，在埋氧层(2)上设有P型外延层(3)，在P型外延层(3)内设有P型中心缓冲阱区(22)，在P型中心缓冲阱区(22)内设有N型发射区(20)，在N型发射区(20)上连接有发射极金属(21)，其特征在于，在P型中心缓冲阱区(22)内设有第一P型基区(19)及第二P型基区(19’)，所述第一P型基区(19)与第二P型基区(19’)分别位于N型发射区(20)的两外侧且对称于N型发射区(20)，在第一P型基区(19)上连接有第一基极金属(18)，在第二P型基区(19’)上连接有第二基极金属(18’)，在P型中心缓冲阱区(22)的两外侧分别设有第一N型体区(16)及第二N型体区(16’)且第一N型体区(16)和第二N型体区(16’)对称于P型中心缓冲阱区(22)，在第一N型体区(16)内顺序设有第一P型源区(13)、第一N型体接触区(14)及第二P型源区(15)，在第二N型体区(16’)内顺序设有第三P型源区(13’)、第二N型体接触区(14’)及第四P型源区(15’)，在第一P型源区(13)、第一N型体接触区(14)、第二P型源区(15)、第三P型源区(13’)、第二N型体接触区(14’)及第四P型源区(15’)上连接有源极金属(12)，在第一N型体区(16)外侧设有第一P型缓冲阱区(4)，在第一P型缓冲阱区(4)内设有第一N型漏区(5)，在第一N型漏区(5)上连接有第一漏极金属(6)且第一漏极金属(6)与所述的第一基极金属(18)连接，在第二N型体区(16’)外侧设有第二P型缓冲阱区(4’)，在第二P型缓冲阱区(4’)内设有第二N型漏区(5’)，在第二N型漏区(5’)上连接有第二漏极金属(6’)且第二漏极金属(6’)与所述的第二基极金属(18’)连接，并且，第一P型缓冲阱区(4)和第二P型缓冲阱区(4’)对称于P型中心缓冲阱区(22)，在P型外延层(3)的表面设有第一栅氧化层(24)、第一场氧化层(26)、第二栅氧化层(24’)、第二场氧化层(26’)、第三栅氧化层(11)、第三场氧化层(8)、第四栅氧化层(11’)及第四场氧化层(8’)，第一栅氧化层(24)的一端与第一场氧化层(26)的一端相抵且位于P型中心缓冲阱区(22)与第一N型体区(16)之间，第一栅氧化层(24)的另一端向第二P型源区(15)延伸并止于第二P型源区(15)的外边界，第一场氧化层(26)的另一端延伸并进入P型中心缓冲阱区(22)，第二栅氧化层(24’)的一端与第二场氧化层(26’)的一端相抵且位于P型中心缓冲阱区(22)与第二N型体区(16’)之间，第二栅氧化层(24’)的另一端向第三P型源区(13’)延伸并止于第三P型源区(13’)的外边界，第二场氧化层(26’)的另一端延伸并进入P型中心缓冲阱区(22)，第三栅氧化层(11)的一端与第三场氧化层(8)的一端相抵且位于第一N型体区(16)与第一P型缓冲阱区(4)之间，第三栅氧化层(11)的另一端向第一P型源区(13)延伸并止于第一P型源区(13)的外边界，第三场氧化层(8)的另一端向第一N型漏区(5)延伸并止于第一N型漏区(5)的外边界，第四栅氧化层(11’)的一端与第四场氧化层(8’)的一端相抵且位于第二N型体区(16’)与第二P型缓冲阱区(4’)之间，第四栅氧化层(11’)的另一端向第四P型源区(15’)延伸并止于第四P型源区(15’)的外边界，第四场氧化层(8’)的另一端向第二N型漏区(5’)延伸并止于第二N型漏区(5’)的外边界，在第一栅氧化层(24)上设有第一多晶硅栅(25)且第一多晶硅栅(25)延伸至第一场氧化层(26)的上表面，在第二栅氧化层(24’)上设有第二多晶硅栅(25’)且第二多晶硅栅(25’)延伸至第二场氧化层(26’)的上表面，在第三栅氧化层(11)上设有第三多晶硅栅(10)且第三多晶硅栅(10)延伸至第三场氧化层(8)的上表面，在第四栅氧化层(11’)上设有第四多晶硅栅(10’)且第四多晶硅栅(10’)延伸至第四场氧化层(8’)的上表面，在第一多晶硅栅(25)、第二多晶硅栅(25’)、第三多晶硅栅(10)及第四多晶硅栅(10’)上连接有栅极金属(17)，在第三场氧化层(8)、第三多晶硅栅(10)、第一P型源区(13)、第一N型体接触区(14)第二P型源区(15)、第一N型漏区(5)、第一多晶硅栅(25)、第一场氧化层(26)、N型发射区(20)、第一P型基区(19)、第二P型基区(19’)、第二场氧化层(26’)、第二多晶硅栅(25’)、第三P型源区(13’)、第二N型体接触区(14’)、第四P型源区(15’)、第四多晶硅栅(10’)、第四场氧化层(8’)及第二N型漏区(5’)的表面设有钝化层(7)。 【当前权利人】东南大学 【当前专利权人地址】江苏省无锡市新区菱湖大道99号 【统一社会信用代码】12100000466006770Q 【引证次数】3.0 【自引次数】1.0 【他引次数】2.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】2

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