【摘要】 本发明提供一种用于制备高效太阳电池的硅片清洗方法及清洗设备。现有硅片清洗技术中硫酸与过氧化氢的质量配比较低会造成绒面硅片的表面疏水性能较差。本发明的用于制备高效太阳电池的硅片清洗方法及清洗设备先通过浓硫酸和过氧化氢溶液的混合溶液对硅片进行清洗，其中硫酸和过氧化氢的质量配比为65～170∶1，之后通过去离子水进行清洗，接着通过过氧化氢溶液或硝酸溶液对硅片进行清洗以去除碳残留和部分金属粒子且形成一层氧化膜，并通过去离子水清洗，最后通过盐酸和氢氟酸的混合溶液以去除所述硅片上的氧化膜并通过去离子水进行清洗。本发明可以有效提高硅片的疏水性能，即使清洗后的硅片在去氧化膜后完全脱水。 【专利类型】发明申请 【申请人】无锡尚德太阳能电力有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214028 江苏省无锡市新区长江南路17-6 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201210197214.3 【申请日】2012-06-15 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103480598A 【公开公告日】2014-01-01 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN103480598B 【授权公告日】2017-02-08 【授权公告年份】2017.0 【IPC分类号】B08B3/08 【发明人】吴甲奇; 王振交; 陆红艳; 孟庆蕾; 韩培育; 朱海东; 陈如龙; 杨健 【主权项内容】一种用于制备高效太阳电池的硅片清洗方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：a、通过浓硫酸和过氧化氢溶液的混合溶液对硅片进行清洗，硫酸和过氧化氢的质量配比为65～170∶1，清洗温度为100～125℃，清洗时间为5～30min；b、通过去离子水对所述硅片进行清洗；c、通过过氧化氢溶液或硝酸溶液对硅片进行清洗，所述过氧化氢与水的质量配比为1∶3～10，所述硝酸与水的质量配比为1∶2～5，所述清洗温度为60～80℃，所述清洗时间为5～20min；d、通过去离子水对所述硅片进行清洗；e、通过盐酸和氢氟酸的混合溶液对硅片进行清洗，所述氯化氢和氟化氢的质量配比为1～3∶1，所述清洗温度为15～25℃，所述清洗时间为30～90s；f、通过去离子水对所述硅片进行清洗。 【当前权利人】无锡尚德太阳能电力有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市新区长江南路17-6 【专利权人类型】有限责任公司(非自然人投资或控股的法人独资) 【统一社会信用代码】9132021372655423XN 【引证次数】6.0 【被引证次数】9 【他引次数】6.0 【被他引次数】9.0 【家族引证次数】6.0 【家族被引证次数】9

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