【摘要】本发明涉及一种高分子膜。它包括基层(1)和表层(2),其特点是:所述表层(2)为透明层,所述基层(1)表面设置有木纹图案层,基层(1)与表层(2)紧密复合,所述基层(1)由织物制成,所述织物包括经纱和纬纱,经纱采用人棉纱,纬纱采用麻
【摘要】 本发明公开了一种晶圆测试装置及方法,所述晶圆测试装置包括一套复合探针卡,所述复合探针卡包括:至少一组测量探针卡,所述测量探针卡中包括用于测量对应晶片的电信号的测量探针,至少一组熔断探针卡,所述熔断探针卡中包括用于对对应晶片进行修调或者编程的熔断探针,其中在所述复合探针卡位于同一位置时各组探针卡分别对应不同的晶片。这样就可以在晶圆测试时,使同一晶片的测量过程和熔断过程分开进行,提高了测量精度,而且由于不同晶片的测量过程和熔断过程可以同时进行,从而未过多延长测试机台的占用时间,而测试成本正比于测试时间,所述本发明在提高测量精确度的同时,并未过多增加测试成本。。该数据由<>整理 【专利类型】发明授权 【申请人】无锡中星微电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214028 江苏省无锡市新区太湖国际科技园清嘉路530大厦10层 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201210132938.X 【申请日】2012-04-28 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102662092B 【公开公告日】2014-12-31 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102662092B 【授权公告日】2014-12-31 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L21/66 【发明人】王钊; 田文博; 尹航 【主权项内容】一种晶圆测试装置,其包括一套复合探针卡,所述复合探针卡包括:至少一组测量探针卡,所述测量探针卡中包括用于测量对应晶片的电信号的测量探针;至少一组熔断探针卡,所述熔断探针卡中包括用于对对应晶片进行修调或者编程的熔断探针,其中在所述复合探针卡位于同一位置时各组探针卡分别对应不同的晶片,其特征在于,所述复合探针卡包括多组测量探针卡,各组测量探针卡对应不同的晶片,各组测量探针卡测量对应的晶片的不同测试项目,所述晶圆测试装置还包括与所述各组探针卡相连的测试机台,所述测试机台中包括用于存储各组测量探针卡的测量结果的存储装置,所述熔断探针卡根据所述测试机台的存储装置内存储的各组测量探针卡的针对同一晶片的测量结果修调或编程对应的晶片,在所述测量探针卡对对应的晶片进行测量的同时,所述熔断探针卡对对应的晶片进行修调或编程,在所述测量探针卡对对应的晶片测量完成,所述熔断探针卡对对应的晶片修调或编程完成后,整体向前移动所述复合探针卡,以使得各组探针卡分别对应于与移动前对应的晶片相邻的下一个晶片,随着所述复合探针卡的不断的向前移动,各测量探针卡和熔断探针卡先后经过晶圆上的每个晶片。 【当前权利人】无锡中感微电子股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市无锡新区太湖国际科技园清源路530大厦A区10层 【专利权人类型】股份有限公司(非上市) 【统一社会信用代码】913202006925820711 【引证次数】6.0 【自引次数】1.0 【他引次数】5.0 【家族引证次数】6.0 【家族被引证次数】7
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