【摘要】 本发明涉及一种硅电容器内部多层电极连接结构及连接方法，其包括衬底；所述衬底的表面上形成第一内部电极层，所述第一内部电极层的上方设有若干交替分布的奇数电极层与偶数电极层，且奇数电极层与偶数电极层在衬底上方匹配对应；奇数电极层与偶数电极层间设置有介质层，且第一内部电极层与邻近的奇数电极层间通过介质层相连；所述衬底上方设有互连电极，所述互连电极包括第一金属外电极及第二金属外电极，所述第一金属外电极与奇数电极层及第一内部电极层等电位连接，第二金属外电极与偶数电极层等电位连接，第一金属外电极与第二金属外电极绝缘隔离。本发明电容密度高，工艺兼容，降低制造成本，安全可靠。 【专利类型】发明授权 【申请人】无锡纳能科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214072 江苏省无锡市滨湖区蠡园开发区滴翠路100号530大厦2号楼2003室 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201210165420.6 【申请日】2012-05-25 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102683318B 【公开公告日】2014-07-02 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102683318B 【授权公告日】2014-07-02 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L23/522; H01L21/768 【发明人】陈杰; 唐剑平; 雷鸣; 陈立军 【主权项内容】一种硅电容器内部多层电极连接结构，包括衬底(1)；其特征是：所述衬底(1)的表面上形成第一内部电极层，所述第一内部电极层的上方设有若干交替分布的奇数电极层(4)与偶数电极层(5)，且奇数电极层(4)与偶数电极层(5)在衬底(1)上方匹配对应；奇数电极层(4)与偶数电极层(5)间设置有介质层(3)，且第一内部电极层与邻近的奇数电极层(4)间通过介质层(3)相连；所述衬底(1)上方设有互连电极，所述互连电极包括第一金属外电极(12)及第二金属外电极(14)，所述第一金属外电极(12)与奇数电极层(4)及第一内部电极层等电位连接，第二金属外电极(14)与偶数电极层(5)等电位连接，第一金属外电极(12)与第二金属外电极(14)绝缘隔离；所述衬底(1)采用P型导电类型的硅，通过在P型衬底(1)表面掺杂N型杂质形成第一内部电极层。 【当前权利人】无锡中微晶园电子有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市新吴区信息产业科技园A座二层203室 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91320211697943569L 【引证次数】2.0 【被引证次数】1 【自引次数】1.0 【他引次数】1.0 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】17

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