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一种晶体硅太阳能电池钝化膜的制备方法专利

时间:2026-09-23    作者:admin 点击: ( 0 ) 次

【摘要】 本发明提供了一种晶体硅太阳能电池钝化膜的制备方法,包括:对硅片进行预处理,在所述硅片表面形成a-Si : H薄膜,在所述a-Si : H薄膜表面形成SiNx : H薄膜,烧结。即,首先以H为主在硅片表面形成一膜层,对硅片表面起到一定的钝化作用,然后形成SiNx : H薄膜,而且SiNx : H薄膜中的H可以对硅片表面起到二次钝化的作用,使得硅片表面的钝化更充分,尽可能的减少硅片表面的杂质、位错和晶界等缺陷,与现有的减反射膜相比,本申请所提供的方法可以有效的减少硅片表面的杂质、位错和晶界等缺陷的存在,提高多晶硅太阳电池的输出功率。。 【专利类型】发明申请 【申请人】浙江昱辉阳光能源江苏有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214200 江苏省无锡市宜兴经济开发区庆源大道(东)27号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】宜兴市 【申请号】CN201210312734.4 【申请日】2012-08-29 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103633185A 【公开公告日】2014-03-12 【公开公告年份】2014 【IPC分类号】H01L31/18; H01L31/0216 【发明人】汤丹; 王立建 【主权项内容】一种晶体硅太阳能电池钝化膜的制备方法,其特征在于,包括:对硅片进行预处理;在所述硅片表面形成a-Si : H薄膜;在所述a-Si : H薄膜表面形成SiNx : H薄膜;烧结。 【当前权利人】浙江昱辉阳光能源江苏有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市宜兴经济开发区庆源大道(东)27号 【专利权人类型】外商投资企业 【统一社会信用代码】913202007812950150 【引证次数】3.0 【被引证次数】2 【他引次数】3.0 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】2

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