【摘要】 一种生长大晶粒铸造多晶硅的方法，包括如下步骤：步骤一、将多个单晶硅块作为籽晶，平铺在坩埚底部；所述多个籽晶的晶向相同；步骤二、将多晶硅料和掺杂剂置于坩埚中；步骤三、加热，控制温度使所述多晶硅料和所述掺杂剂完全融化，同时籽晶不完全熔化；及步骤四、降低与籽晶接触的熔融硅液的温度，使所述硅液沿不完全熔化的籽晶定向凝固生长，得到与所述籽晶的晶向相同的大晶粒铸造多晶硅。在大晶粒铸造多晶硅的生长过程中，通过定向引入晶界，可使位错在晶界处聚积，抑制了位错的不断增殖，降低了位错密度，提高了多晶硅太阳能电池的光电转换效率。 【专利类型】发明授权 【申请人】江苏协鑫硅材料科技发展有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】221004 江苏省徐州市经济开发区杨山路88号 【申请人地区】中国 【申请人城市】徐州市 【申请人区县】鼓楼区 【申请号】CN201210047956.8 【申请日】2012-02-28 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102534772B 【公开公告日】2014-11-05 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102534772B 【授权公告日】2014-11-05 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】C30B28/06; C30B29/06 【发明人】陈伟; 游达; 胡亚兰; 杨晓琴; 武鹏 【主权项内容】一种生长大晶粒铸造多晶硅的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、将多个单晶硅块作为籽晶，平铺在坩埚底部；所述多个籽晶的晶向相同，每个籽晶的晶向为< 111> ；每个籽晶在其与相邻籽晶的接触晶面之间形成30°角；步骤二、将多晶硅料和掺杂剂置于坩埚中；步骤三、加热，控制温度使所述多晶硅料和所述掺杂剂完全融化，同时籽晶不完全熔化；及步骤四、降低与籽晶接触的熔融硅液的温度，使所述硅液沿不完全熔化的籽晶定向凝固生长，得到与所述籽晶的晶向相同的大晶粒铸造多晶硅。 【当前权利人】江苏协鑫硅材料科技发展有限公司 【当前专利权人地址】江苏省徐州市经济开发区杨山路88号 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】913203016811311440 【引证次数】10.0 【他引次数】10.0 【家族引证次数】11.0 【家族被引证次数】7

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