【摘要】 本发明涉及一种具有电回路开口的多晶硅薄膜太阳能电池。该太阳能电池解决了目前衬底价格昂贵，品质低衬底的杂质向薄膜扩散影响电池质量的问题。多晶硅薄膜太阳能电池包括衬底、多晶硅薄膜、上电极和背电极，多晶硅薄膜上制有p-n结，衬底设在背电极上，在衬底和多晶硅薄膜之间设有重掺P+层和二氧化硅隔离层，在二氧化硅隔离层上设有若干个由背电极和上电极构成的电回路开口。在二氧化硅隔离层上光刻出开口，使电极可设在电池的正反两面，简化了电池的制作工艺；在衬底和多晶硅薄膜之间设有重掺P+层和二氧化硅隔离层，使得低品质的多晶硅片衬底也能作为基材使用，大大降低了制造成本。 【专利类型】发明申请 【申请人】金坛正信光伏电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】213250 江苏省常州市金坛直溪镇工业集中区振兴南路1号 【申请人地区】中国 【申请人城市】常州市 【申请人区县】金坛区 【申请号】CN201210197020.3 【申请日】2012-06-14 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103489940A 【公开公告日】2014-01-01 【公开公告年份】2014 【IPC分类号】H01L31/0352 【发明人】王桂奋; 谢德兵; 王迎春 【主权项内容】一种具有电回路开口的多晶硅薄膜太阳能电池，其特征在于：包括衬底(1)、多晶硅薄膜(2)、上电极(3)和背电极(4)，多晶硅薄膜(2)上制有p-n结，衬底(1)设在背电极(4)上，在衬底(1)和多晶硅薄膜(2)之间设有重掺P+层(5)和二氧化硅隔离层(6)，在二氧化硅隔离层(6)上设有若干个由背电极(4)和上电极(3)构成的电回路开口(6-1)。 【当前权利人】金坛正信光伏电子有限公司 【当前专利权人地址】江苏省常州市金坛直溪镇工业集中区振兴南路1号 【专利权人类型】股份有限公司(中外合资、未上市) 【统一社会信用代码】9132040079085953XC

未经允许不得转载：http://www.zhongzhencnc.com/1789993659.html