【摘要】 本发明涉及一种形成黑硅的方法，尤其是一种用等离子激发形成太阳能干法制绒黑硅的方法。该方法具体的工艺步骤如下：一、自动传送装置带动硅片载板，通过硅片上料将需刻蚀硅片置于硅片载板上；二、载有硅片的硅片载板在自动传输装置的带动下经过平行放置的线性等离子源，载有硅片的硅片载板在自动传输装置的带动下在真空中按一定速度经过线性等离子源；三、刻蚀后的气体通过真空泵及其导管抽走；四、硅片载板经过硅片下料装置使硅片下料，得成品黑硅。本发明的优点是等离子密度高，对硅表面损伤低，使所得的黑硅电池片转换效率高；同时，刻蚀速度度快，增加了产量；另一方面，利用本发明载板是放在接地电极上的，这样使离子源更加稳定。 ： 【专利类型】发明授权 【申请人】常州比太科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】213000 江苏省常州市武进高新技术产业开发区凤翔路7号 【申请人地区】中国 【申请人城市】常州市 【申请人区县】武进区 【申请号】CN201210073077.2 【申请日】2012-03-20 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102534622B 【公开公告日】2014-01-08 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102534622B 【授权公告日】2014-01-08 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】C23F4/00; H01L31/18 【发明人】上官泉元; 刘金浩; 解观超; 朱广东 【主权项内容】一种在晶硅太阳能电池片表面制绒的方法，其特征是，该方法由一个自动传送装置实现，包括硅片载板(3)、硅片上料和硅片下料，具体的工艺步骤如下：一、自动传送装置带动硅片载板(3)，通过硅片上料将需刻蚀硅片(4)置于硅片载板(3)上；二、载有硅片(4)的硅片载板(3)在自动传输装置的带动下经过平行放置的一组线性等离子源，载有硅片(4)的硅片载板(3)在自动传输装置的带动下在真空中按照30-3000mm/min的速度经过线性等离子源；所述线性等离子源是由一对平行板组成，平行板的第一板(1)连接射频电源，第二板(2)接地，气体从第一板(1)处通入，带有硅片的载板向第二板(2)靠近通过；在射频电源的射频激发下两板之间形成等离子体，完成硅片的刻蚀；硅片的刻蚀按照以下化学方程式进行：SF6+O2=SFxO+F；F+Si=SiFx；三、刻蚀后的气体通过真空泵及其导管抽走；四、硅片载板经过硅片下料装置使硅片下料，得成品黑硅，载板回到硅片上料处原点，循环使用。 【当前权利人】江苏杰太光电技术有限公司 【当前专利权人地址】江苏省泰州市姜堰区姜堰经济开发区陈庄路600号 【专利权人类型】港、澳、台 【统一社会信用代码】91320412576689656M 【引证次数】1.0 【被引证次数】6 【他引次数】1.0 【被自引次数】4.0 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】14.0 【家族被引证次数】14

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