【摘要】 本发明涉及太阳能电池技术领域，特别是一种具有无发射极区的太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池在主栅下具有无发射极区，主栅覆盖的区域大于无发射极区，硅基体受光面的无发射极区外的其他区域为具有发射极的发射极区，主栅和硅基体之间具有隔绝主栅和硅基体的介质膜。其制备方法为：在热扩散或者离子注入掺杂工艺中，通过扩散掩模或离子注入挡板保护主栅下的无发射极区，在无发射极区外的其他区域形成均匀发射极或选择性发射极, 然后在硅基体的受光面镀介质膜，在介质膜上制作栅线。本发明的有益效果是：将主栅下的区域设为无发射极，可以进一步降低电池的反向饱和电流，同时利用介质膜钝化，提高电池开路电压和短路电流。 【专利类型】发明授权 【申请人】常州天合光能有限公司; 中山大学 【申请人类型】企业,学校 【申请人地址】213031 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】常州市 【申请人区县】新北区 【申请号】CN201210291496.3 【申请日】2012-08-16 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102820343B 【公开公告日】2014-12-10 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102820343B 【授权公告日】2014-12-10 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L31/0224; H01L31/0352; H01L31/18 【发明人】沈辉; 陈达明 【主权项内容】一种具有无发射极区的太阳能电池，包括硅基体，在硅基体受光面上具有栅线，栅线分为细栅(2)和汇集细栅(2)电流的主栅(4)，其特征是：在所述的硅基体的受光面上具有发射极区和无发射极区，无发射极区位于主栅覆盖区域内，主栅(4)和无发射极区的硅基体通过介质膜(5)隔离，细栅(2)与无发射极区(3)的硅基体不接触。 【当前权利人】天合光能股份有限公司; 中山大学 【当前专利权人地址】江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号; 广东省广州市海珠区新港西路135号 【专利权人类型】有限责任公司; 【统一社会信用代码】91320411608131455L; 121000004558631445 【引证次数】5.0 【他引次数】5.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】11

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