【摘要】 本发明涉及一种N型双面电池的双面扩散方法，该方法首先在N型硅衬底的上表面通过第一次扩散工艺在N型硅衬底的一面形成n+层或p+层后，然后通过LPCVD双面沉积SiN薄膜；接着在已经形成扩散层的上表面通过PECVD的方法单面沉积SiO2薄膜；之后利用热磷酸去除下表面的SiN薄膜；接着对硅片进行清洗后完成对下表面的扩散。本发明利用高致密度的LPCVD SiN作为扩散阻挡层实现N型电池的双面扩散，避免了传统工艺中采用热氧化SiO2薄膜作为扩散阻挡层时所经历的高温过程，保证一次扩散曲线及硅衬底的杂质浓度不变，实现了N型双面电池良好的电接触性能，并有效降低电池的体复合速率。 【专利类型】发明授权 【申请人】常州天合光能有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】213031 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】常州市 【申请人区县】新北区 【申请号】CN201210043317.4 【申请日】2012-02-24 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102544236B 【公开公告日】2014-01-15 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102544236B 【授权公告日】2014-01-15 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L31/18 【发明人】蔡文浩 【主权项内容】一种N型双面电池的双面扩散方法，其特征是：具体步骤为：1)首先通过气态B源高温扩散工艺实现p+层的掺杂，并通过湿法刻蚀的方法去除表面的硼硅玻璃、背面p-n结，同时完成刻边，至此完成了N型电池的第一次扩散；2)随后利用LPCVD双面沉积一层厚度范围为20-30nm的SiN薄膜，沉积温度为700-800℃，反应压强为0.2-0.5mtorr，时间为5-10min；3)接着在扩B面通过PECVD的方法沉积一层厚度为15-20nm的SiO2薄膜，沉积温度为300-400℃，反应压强为0.15-0.20mbar，功率为1000-1200w；4)之后利用热磷酸对SiN、SiO2薄膜进行选择性刻蚀，将硅片浸泡于155-165℃的热磷酸中5-15min，去除下表面的SiN薄膜；5)对硅片进行RCA清洗后完成对下表面的P扩散，形成n+层；6)通过HF溶液浸泡去除下表面磷硅玻璃及正表面的SiO2薄膜，HF溶液浓度为5%，浸泡时间为5-10min；7)最后同样采用热磷酸浸泡的方法去除正表面的SiN薄膜，N型硅衬底的两面分别形成n+层、p+层，完成N型双面电池的扩散工艺。。： 【当前权利人】天合光能股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91320411608131455L 【被引证次数】5 【被他引次数】5.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】5

未经允许不得转载：http://www.zhongzhencnc.com/1789886513.html