【摘要】 本发明涉及一种生长纯净准单晶的铸锭热场，具有上炉体、下炉体，所述的上炉体、下炉体形成的空腔内设有石英陶瓷坩埚，石英陶瓷坩埚外壁与侧部主加热器之间设有移动式副加热器，移动式副加热器与副加热器电极连接，副加热器电极穿过上炉体与副加热器电极移动装置连接，副加热器电极移动装置安装在上炉体上，副加热器电极移动装置通过副加热器电极带动移动式副加热器上、下移动，移动式副加热器自下向上移动的速度曲线与石英陶瓷坩埚内单晶硅籽晶的长晶速度曲线一致。本发明能够阻止固液界面前沿的石英陶瓷坩埚壁面上晶核的产生和向内生长，生长纯净准单晶晶棒的比例较高。 【专利类型】发明授权 【申请人】常州天合光能有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】213031 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】常州市 【申请人区县】新北区 【申请号】CN201210205228.5 【申请日】2012-06-20 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102732947B 【公开公告日】2014-11-26 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102732947B 【授权公告日】2014-11-26 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】C30B11/00 【发明人】张志强; 黄振飞; 刘振准 【主权项内容】一种生长纯净准单晶的铸锭热场，具有上炉体、下炉体，所述的上炉体、下炉体形成的空腔内设有石英陶瓷坩埚，所述的石英陶瓷坩埚外壁外侧设有侧部主加热器，所述的石英陶瓷坩埚顶部设有顶部主加热器，其特征在于：所述的石英陶瓷坩埚外壁与侧部主加热器之间设有移动式副加热器，所述的移动式副加热器与副加热器电极连接，所述的副加热器电极穿过上炉体与副加热器电极移动装置连接，所述的副加热器电极移动装置安装在上炉体上，所述的副加热器电极移动装置通过副加热器电极带动移动式副加热器上、下移动，所述的移动式副加热器自下向上移动的速度曲线与石英陶瓷坩埚内单晶硅籽晶的长晶速度曲线一致，所述的移动式副加热器为环形，所述的移动式副加热器绕石英陶瓷坩埚的外壁壁面一周。 【当前权利人】天合光能股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91320411608131455L 【引证次数】5.0 【被引证次数】4 【自引次数】1.0 【他引次数】4.0 【被他引次数】4.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】13

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