【摘要】 本发明公开了一种多晶硅片的钝化处理方法，具有如下步骤：a、将多晶硅片背面抛光；b、将多晶硅片背面用化学试剂清洗后，淋干水滴；c、低温处理，在80～90℃的温度下将硅片烘干，烘干时间为一小时；d、使用PECVD法对多晶硅片进行等离子氧化铝薄膜的沉积，沉积后在硅片表面形成小于2nm厚度的SiO2薄膜层；e、热处理，将沉积后的多晶硅片在400℃温度下进行退火处理；f、测试，对多晶硅片进行稳定状态下的少子寿命测试。本发明通过硅片的前期湿-热处理，在硅片表面形成了一个极薄的SiO2薄膜，且这层薄膜中富含水汽所带来的羟基，为与氧化铝中的氧原子的结合提供了很好的化学结构基础，有效地提升了硅片钝化效果及稳定性。 【专利类型】发明授权 【申请人】常州天合光能有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】213031 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】常州市 【申请人区县】新北区 【申请号】CN201210047081.1 【申请日】2012-02-28 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102569531B 【公开公告日】2014-07-09 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102569531B 【授权公告日】2014-07-09 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L31/18; C23C16/44; C23C16/40; C23C16/02 【发明人】孙宝明 【主权项内容】一种多晶硅片的钝化处理方法，其特征是：具有如下步骤：a、将多晶硅片背面抛光；b、将多晶硅片背面用化学试剂清洗后，从离子水中将硅片慢慢提起，以保证没有水珠挂在硅片上；c、低温处理，在80～90℃的温度下将硅片烘干，烘干时间为一小时，在硅片表面形成小于2nm厚度的SiO2薄膜层；d、沉积，使用PECVD法对多晶硅片背面进行等离子氧化铝薄膜的沉积，正面减反膜沉积；e、热处理，将沉积后的多晶硅片在400℃温度下进行退火处理，以激发钝化性能；f、测试，采用少子寿命测试仪，对多晶硅片进行稳定状态下的少子寿命测试。 【当前权利人】天合光能股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91320411608131455L 【被引证次数】2 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】13

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