【摘要】 本发明涉及一种提高硅晶体电池片转换效率的方法：硅片在正式制备电池前进行如下的热处理；在氮气、氩气、氦气的一种或几种惰性混合气体气氛中，将硅片以20~200℃/s的速率快速加热至900℃以上，热处理1s~30min，然后以30℃~80℃/s的速率冷却至室温, 将硅晶体中沉淀铁转换为间隙铁；将上述热处理后的硅片制备电池片。本发明的有益效果是：在硅片处理阶段通过快速的热处理工艺，将硅片中10%~80%的沉淀铁转换成间隙铁，沉淀铁的含量得到了大幅度的降低，处理后的硅片制备成电池片后，电池片的效率的绝对值提高了0.5%~2%。 【专利类型】发明授权 【申请人】常州天合光能有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】213031 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】常州市 【申请人区县】新北区 【申请号】CN201210141799.7 【申请日】2012-05-08 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102709181B 【公开公告日】2014-12-31 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102709181B 【授权公告日】2014-12-31 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L21/324; H01L31/18 【发明人】刘振淮; 熊震; 付少永; 张驰 【主权项内容】一种提高硅晶体电池片转换效率的方法, 其特征是：硅片在正式制备电池前进行如下的热处理 : 在氮气、氩气、氦气的一种或几种惰性混合气体气氛中，将硅片以20~200℃/s的速率快速加热至900℃以上，热处理1s~30min，然后以30℃~80℃/s的速率冷却至室温, 将硅晶体中沉淀铁转换为间隙铁；将上述热处理后的硅片制备电池片。 【当前权利人】天合光能股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91320411608131455L 【引证次数】7.0 【他引次数】7.0 【家族引证次数】7.0 【家族被引证次数】3

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