【摘要】 本实用新型涉及一种S波段高带外抑制低噪声放大器，其滤波器UD88与场效应管CFS0303的栅极G相连，且之间设有一段高阻抗微带线接地；电阻R1与电容C1、C2并联后一端接地，另一端与场效应管的源极相连；电阻R2与电容C3并联后一端接地，另一端与场效应管的源极相连；场效应管的漏极与单片放大器HMC286的脚1相连，且在场效应管与单片放大器HMC286之间设有电容C4；在电容C4与单片放大器HMC286之间设有一段高阻抗开路线；电容C5一端连在电容C4与场效应管之间，另一端接地；单片放大器HMC286的脚2、脚5、脚6接地，脚3连有+3V电源，脚4与滤波器CQ2492相连。 【专利类型】实用新型 【申请人】中国电子科技集团公司第十四研究所 【申请人类型】企业 【申请人地址】210000 江苏省南京市1313信箱 【申请人地区】中国 【申请人城市】南京市 【申请人区县】雨花台区 【申请号】CN201020296176.3 【申请日】2010-08-18 【申请年份】2010 【公开公告号】CN201774501U 【公开公告日】2011-03-23 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN201774501U 【授权公告日】2011-03-23 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H03F1/26 【发明人】张冬 【主权项内容】一种S波段高带外抑制低噪声放大器，其特征在于：包括滤波器UD88，低噪声管子CFS0303，放大器HMC286，滤波器CQ2492，电阻R1、R2，电容C1、C2、C3、C4、C5；滤波器UD88与场效应管CFS0303的栅极G相连，且在滤波器UD88输出端与CFS0303之间设有一段高阻抗微带线接地；电阻R1与电容C1、C2并联后一端接地，另一端与场效应管CFS0303的源极相连；电阻R2与电容C3并联后一端接地，另一端与场效应管CFS0303的源极相连；场效应管CFS0303的漏极与单片放大器HMC286的脚1相连，且在场效应管CFS0303与单片放大器HMC286之间设有电容C4；在电容C4与单片放大器HMC286之间设有一段高阻抗开路线；电容C5一端连在电容C4与场效应管CFS0303之间，另一端接地；单片放大器HMC286的脚2、脚5、脚6接地，脚3连有+3V电源，脚4与滤波器CQ2492相连。 【当前权利人】中国电子科技集团公司第十四研究所 【当前专利权人地址】江苏省南京市1313信箱 【被引证次数】3 【被自引次数】2.0 【被他引次数】1.0 【家族被引证次数】3

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