【摘要】 提供一种基于绝缘体上硅(SOI)材料的平板显示器驱动芯片，由高压P型横向金属氧化物半导体管、高压N型横向金属氧化物半导体管、高压N型横向绝缘栅双极型晶体管、低压器件组成，各高压器件之间均以始自埋氧层穿过N型埋层和N型外延层终止于器件表面场氧并填充有二氧化硅的双槽结构隔离，在外延层与埋氧层相接区域有N型埋层。制备方法：在P型衬底上制作埋氧层，N型埋层，淀积外延层，再制作高压N型横向金属氧化物半导体管和高压N型横向绝缘栅双极型晶体管的高压P阱及高压P型横向金属氧化物半导体管的P型漂移区，高压管的缓冲层、低压管的低压阱，源漏区及接触孔，蒸铝，反刻铝，形成电极和金属场板，钝化处理。 【专利类型】发明申请 【申请人】东南大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】210096 江苏省南京市四牌楼2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】南京市 【申请人区县】玄武区 【申请号】CN201010101671.9 【申请日】2010-01-27 【申请年份】2010 【公开公告号】CN101964344A 【公开公告日】2011-02-02 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN101964344B 【授权公告日】2012-06-27 【授权公告年份】2012.0 【发明人】钱钦松; 庄华龙; 孙伟锋; 吴虹; 陆生礼; 时龙兴 【主权项内容】一种平板显示器驱动芯片，包括P型衬底(11)，在P型衬底(11)上设有埋氧层(10)，其特征在于在埋氧层(10)上设有N型埋层(9)，在N型埋层(9)上设有高压P型横向金属氧化物半导体管(1)、高压N型横向金属氧化物半导体管(2)、高压N型横向绝缘栅双极型晶体管(3)和低压器件(4)，高压P型横向金属氧化物半导体管(1)与高压N型横向金属氧化物半导体管(2)相邻且高压P型横向金属氧化物半导体管(1)的漏端与高压N型横向金属氧化物半导体管(2)的源端相邻，高压N型横向绝缘栅双极型晶体管(3)位于高压N型横向金属氧化物半导体管(2)与低压器件(4)之间，在高压P型横向金属氧化物半导体管(1)源端一侧设有第一双槽结构，在高压P型横向金属氧化物半导体管(1)与高压N型横向金属氧化物半导体管(2)之间设有第二双槽结构，在高压N型横向金属氧化物半导体管(2)与高压N型横向绝缘栅双极型晶体管(3)之间设有第三双槽结构，在高压N型横向绝缘栅双极型晶体管(3)与低压器件(4)之间设有第四双槽结构，在低压器件(4)之间没有槽结构隔离，在低压器件(4)另一侧设有第五双槽结构，第一双槽结构由平行设置的第一氧化隔离层(91A)和第二氧化隔离层(91B)组成，第二双槽结构由平行设置的第一氧化隔离层(92A)和第二氧化隔离层(92B)组成，第三双槽结构由平行设置的第一氧化隔离层(93A)和第二氧化隔离层(93B)组成，第四双槽结构由平行设置的第一氧化隔离层(94A)和第二氧化隔离层(94B)组成，第五双槽结构由平行设置的第一氧化隔离层(95A)和第二氧化隔离层(95B)组成。 【当前权利人】东南大学 【当前专利权人地址】江苏省南京市四牌楼2号 【统一社会信用代码】12100000466006770Q 【被引证次数】11 【被他引次数】6.0 【家族被引证次数】11

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