【摘要】 本发明公开一种基于陶瓷圆片级封装的CMOS集成风速风向传感器的制作，包括以下步骤：第一步，陶瓷芯片的制备，利用溅射和刻蚀工艺在陶瓷芯片下表面制作加热元件和用于电连接、热连接以及电引出的焊盘。第二步，硅芯片的制备，利用标准CMOS工艺制作热传感测温元件，并利用MEMS各向异性湿法腐蚀工艺制备隔热空腔及硅芯片背面的裂片槽，然后在硅芯片上表面制备铜凸点和焊料。第三步，利用倒装焊封装技术实现硅芯片与陶瓷芯片之间的互连封装，实现两芯片间的电连接和热连接。第四步，划片。第五步，裂片，完成传感器的制备。整个传感器的制备过程，所使用的制备工艺与标准CMOS工艺兼容，后处理工艺简单，封装采用倒装焊封装技术实现传感器的圆片级封装，具有工艺一致性高，兼容性好，后续工艺简单，低成本的特点。 【专利类型】发明授权 【申请人】东南大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】210096 江苏省南京市四牌楼2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】南京市 【申请人区县】玄武区 【申请号】CN201010103608.9 【申请日】2010-01-29 【申请年份】2010 【公开公告号】CN101819214B 【公开公告日】2011-09-07 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN101819214B 【授权公告日】2011-09-07 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】G01P5/10; G01P13/00; B81B7/02; B81C1/00; B81C3/00 【发明人】董自强; 黄庆安; 秦明 【主权项内容】一种基于陶瓷圆片级封装的集成风速风向传感器，包括陶瓷芯片(1)和硅芯片(7)，硅芯片(7)位于陶瓷芯片(1)的下方，在硅芯片(7)的上表面四边对称分布设有4个热传感测温元件(14)，每个热传感测温元件上热连接有2个下热连接焊盘(18)且每个热传感测温元件电连接有2个下电连接焊盘(17)，在陶瓷芯片(1)的下表面上设有与每个下热连接焊盘相对应的上热连接焊盘(4)和每个下电连接焊盘相对应的上电连接焊盘(5)，在互相对应的上、下热连接焊盘之间设有热连接凸点(30)，在互相对应的上、下电连接焊盘之间设有电连接凸点(29)，电连接凸点(29)上设有电连接焊料(27)，热连接凸点(30)上设有热连接焊料(28)，在硅芯片(7)上表面位于4个热传感测温元件中间位置设有隔热空腔(22)，其特征在于加热元件(3)设在陶瓷芯片(1)的下表面上。 【当前权利人】东南大学 【当前专利权人地址】江苏省南京市四牌楼2号 【统一社会信用代码】12100000466006770Q 【引证次数】1.0 【被引证次数】3 【自引次数】1.0 【被他引次数】3.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】30

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