【摘要】 ： 。本发明是一种基于砷化镓(GaAs)赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)的射频功率单刀双掷开关(SPDT)电路。开关单片电路采用三栅PHEMT，串并拓扑，对称结构设计。信号经过2个三栅PHEMT串联到输出端，输出端同时经过2个三栅PHEMT串联并通过电容并联到地。开关只需一组互补的控制信号(V1、V1-)，完成SPDT开关通道切换，应用方便。优点是：该开关单片电路采用三栅PHEMT，串并拓扑结构，提高了击穿电压，增大了功率容量。开关单片电路通过的插损小，隔离度高，最大可通过20w，在移动通信系统中应用方便。可通过6英寸0.5μm GaAs PHEMT标准工艺批量生产，一致性好，成本低。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国电子科技集团公司第五十五研究所 【申请人类型】企业 【申请人地址】210016 江苏省南京市中山东路524号 【申请人地区】中国 【申请人城市】南京市 【申请人区县】玄武区 【申请号】CN201010254141.8 【申请日】2010-08-16 【申请年份】2010 【公开公告号】CN101958702A 【公开公告日】2011-01-26 【公开公告年份】2011 【IPC分类号】H03K17/687 【发明人】许正荣; 陈新宇; 徐光 【主权项内容】射频功率单刀双掷开关电路，其特征是射频SPDT功率开关电路采用三栅PHEMT，串并拓扑，对称结构设计，并联支路通过电容隔直到地，在输入到第1输出的信号通道上，第3号PHEMT管(FET3)和第四号PHEMT管(FET4)串联连接，由控制信号(V1)控制，第五号PHEMT管(FET5)和第六号PHEMT管(FET6)通过隔直电容(C1)并联到地，由控制端信号(V1‑)控制；在输入到第2输出的信号通道上，第一号PHEMT管(FET1)和第二号PHEMT管(FET2)串联连接，由控制端信号(V1‑)控制；第七号PHEMT管(FET7)和第八号PHEMT管(FET8)通过隔直电容(C2)并联到地，由控制信号(V1)控制；当控制信号(V1)为高电位，控制端信号(V1‑)为低电位时，第3号PHEMT管(FET3)和第四号PHEMT管(FET4)的栅源电位近似为零电位，第3号PHEMT管(FET3)和第四号PHEMT管(FET4)处于导通状态；而第五号PHEMT管(FET5)和第六号PHEMT管(FET6)的栅源电位近似为负电位，第五号PHEMT管(FET5)和第六号PHEMT管(FET6)处于截止状态；同样道理，第一号PHEMT管(FET1)和第二号PHEMT管(FET2)处于截止状态，第七号PHEMT管(FET7)和第八号PHEMT管(FET8)处于导通状态。因此输入到第1输出的信号通道上，微波信号通过，而输入到第2输出的信号通道上，微波信号截止，开关电路完成信号通道的切换；当控制信号(V1)为低电位，制端信号(V1‑)为高电位时，同样道理，第3号PHEMT管(FET3)和第四号PHEMT管(FET4)处于截止状态，第五号PHEMT管(FET5)和第六号PHEMT管(FET6)处于导通状态；同时第一号PHEMT管(FET1)和第二号PHEMT管(FET2)处于导通状态，第七号PHEMT管(FET7)和第八号PHEMT管(FET8)处于截止状态，因此输入到第1输出的信号通道上，微波信号截止，而输入到第2输出的信号通道上，微波信号通过，开关电路完成信号通道的切换。 微信 【当前权利人】南京国博电子有限公司 【当前专利权人地址】江苏省南京市江宁经济技术开发区正方中路166号 【引证次数】6.0 【被引证次数】11 【他引次数】6.0 【被他引次数】11.0 【家族引证次数】6.0 【家族被引证次数】11

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