【摘要】 一种带晶体发射层的等离子体显示器件，涉及等离子体器件的技术领域，尤其涉及带晶体发射层的技术领域。本发明前基板介质层上朝向后基板的一侧布置前基板保护膜MgO薄膜；障壁与后基板介质层之间形成像素空间，像素空间的内壁涂覆荧光粉层；位于两个障壁之间的前基板保护膜MgO薄膜上朝向后基板的一侧设置晶体发射层，所述晶体发射层由若干个MgO晶粒组成，每个MgO晶粒中掺杂S2型离子。本发明实现了采用掺杂的MgO单晶作为晶体发射层，综合改善等离子体器件的特性，降低统计响应时间，同时利用掺杂的元素在MgO晶体中形成适当的杂质中心，以改善二次电子发射特性的目的。 【专利类型】发明申请 【申请人】东南大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】210096 江苏省南京市四牌楼2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】南京市 【申请人区县】玄武区 【申请号】CN201010580645.9 【申请日】2010-12-09 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102082058A 【公开公告日】2011-06-01 【公开公告年份】2011 【IPC分类号】H01J17/49; H01J17/16 【发明人】李青; 哈姆·托勒; 匡文剑; 郑姚生 【主权项内容】一种带晶体发射层的等离子体显示器件，包括平行设置的前基板(1)、后基板(2)，前基板(1)包括前衬底玻璃基板(11)、扫描电极(12)、维持电极(13)、前基板介质层(14)、前基板保护膜MgO薄膜(15)，前衬底玻璃基板(11)上朝向后基板(2)的一侧均匀布置扫描电极(12)、维持电极(13)，扫描电极(12)、维持电极(13)上朝向后基板(2)的一侧设置前基板介质层(14)，前基板介质层(14)上朝向后基板(2)的一侧布置前基板保护膜MgO薄膜(15)；后基板(2)包括后衬底玻璃基板(21)、寻址电极(22)、后基板介质层(23)、障壁(24)，后衬底玻璃基板(21)上朝向前基板(1)的一侧设置寻址电极(22)，寻址电极(22)朝向前基板(1)的一侧设置后基板介质层(23)，后基板介质层(23)与前基板保护膜MgO薄膜(15)之间平行设置至少两个障壁(24)，障壁(24)分别与前基板(1)或后基板(2)垂直；障壁(24)与后基板介质层(23)之间形成像素空间(3)，像素空间(3)的内壁涂覆荧光粉层(4)；其特征在于位于两个障壁之间的前基板保护膜MgO薄膜(15)上朝向后基板(2)的一侧设置晶体发射层，所述晶体发射层由若干个MgO晶粒(5)组成，每个MgO晶粒(5)中掺杂S2型离子。 【当前权利人】东南大学 【当前专利权人地址】江苏省南京市四牌楼2号 【统一社会信用代码】12100000466006770Q 【引证次数】3.0 【被引证次数】1 【他引次数】3.0 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】1

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