【摘要】 本发明涉及一种碳/碳-碳化硅刹车材料的制备方法，该方法以富碳液态超支化聚碳硅烷为陶瓷先驱体，重复真空浸渗裂解工艺制备出一定密度的C/C-SiC复合材料，最后进行反应熔体浸渗得到致密复合材料。本发明有效解决了传统RMI工艺中的富硅及其团聚问题，具有制备周期短，工艺简单和可重复性好的特点，制造的碳/碳化硅刹车材料摩擦系数较高且稳定，磨损率小，摩擦性能优良，并且具备优良的力学性能和抗氧化性能，能够满足飞机、坦克等高能载刹车材料的要求。 【专利类型】发明申请 【申请人】西北工业大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】710072 陕西省西安市友谊西路127号 【申请人地区】中国 【申请人城市】西安市 【申请人区县】碑林区 【申请号】CN200910121044.9 【申请日】2009-04-14 【申请年份】2009 【公开公告号】CN106507785B 【公开公告日】2011-08-24 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN106507785B 【授权公告日】2011-08-24 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】C04B35/622; C04B41/84; C04B35/565 【发明人】范尚武; 张立同; 成来飞; 李厚补; 殷小玮 【主权项内容】1.碳/碳-碳化硅刹车材料的制备方法，其特征在于本发明提出的制备方法包括以下步骤： 步骤1，以C/C多孔复合材料为预制体，以C/Si摩尔比为1.2～1.6的液态超支化聚碳硅烷HBPCS为先驱体，真空浸渗10～30min，得到复合材料预浸渗构件； 步骤2，将复合材料预浸渗构件置于交联炉内进行交联固化处理，交联温度为150～250℃，固化时间为5～8h，升温速率采用0.5～4℃/min，用惰性气体作为保护性气体，得到交联固化样品； 步骤3，将交联固化处理后的样品进行裂解处理，最高裂解温度为800～1100℃，裂解时间为1～4h，升温速率为0.5～4℃/min，用惰性气体作为保护性气体，得到多孔C/C-SiC复合材料； 步骤4，对得到的多孔C/C-SiC复合材料重复进行步骤1～步骤3，对复合材料进行聚合物浸渗、交联和裂解4～8次，以提高C/C-SiC复合材料的密度； 步骤5，将上述得到的C/C-SiC复合材料在真空炉中进行反应熔体浸渗处理，浸渗温度为1600～1800℃，保温时间为1～5h，得到致密C/C-SiC刹车材料。 数据由整理 【当前权利人】西北工业大学 【当前专利权人地址】陕西省西安市长安区西北工业大学长安校区 【统一社会信用代码】12100000435231705W 【被引证次数】8 【被自引次数】3.0 【被他引次数】5.0 【家族被引证次数】8

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