【摘要】 本发明涉及一种利用旋转磁场主动控制生长高品质单晶的装置及其方法，属于微重力材料科学领域。本发明装置包括旋转磁场发生器(1)，单晶炉(2)，样品下降机构(3)，单晶生长样品(4)及电控单元(5)等部件，方法是将单晶炉(2)安放于旋转磁场发生器(1)中，开启电控单元(5)，开启磁场发生器(1)产生旋转磁场，启动样品下降机构(3)控制单晶生长，电控单元控制单晶炉控温工艺曲线。本发明采用地面等效微重力效应下的单晶生长，生长成本可大大降低，同时这种等效微重力持续时间可以无限延长，因而不但适合各类功能单晶的产业化生产，而且可望提高航天、国防等军工领域急需的某些关键性技术材料的品质，为推动我国航天、国防等重要技术领域的发展具有重要的现实意义。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院上海硅酸盐研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】200050 上海市定西路1295号 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】长宁区 【申请号】CN200610056550.0 【申请日】2006-07-25 【申请年份】2006 【公开公告号】CN107743732B 【公开公告日】2011-04-27 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN107743732B 【授权公告日】2011-04-27 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】C30B13/24; C30B15/18; C30B29/30 【发明人】刘岩; 冯楚德; 艾飞; 周燕飞; 高国忠; 潘秀红; 倪沛汶 【主权项内容】1.一种利用旋转磁场主动控制生长高品质单晶的装置，其特征在于包括旋转磁场发生器(1)，单晶炉(2)，样品下降机构(3)，单晶生长样品(4)及电控单元(5)，其中的旋转磁场发生器(1)外部轮廓呈圆柱状，其中央为圆柱形空心腔体，旋转磁场发生器(1)由A、B、C、X、Y、Z六个绕组线圈构成，A-X、B-Y、C-Z分别构成三个回路，各回路的绕组线圈中通以三相交变电流。。： 【当前权利人】中国科学院上海硅酸盐研究所 【当前专利权人地址】上海市定西路1295号 【统一社会信用代码】12100000425006547H 【被引证次数】2 【被他引次数】2.0 【家族被引证次数】2

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