【摘要】本发明涉及一种ONO电容结构的生长工艺,包括如下步骤:a、提供半导体基板;b、在半导体基板上,通过干氧氧化生长20~24nm的底层氧化层;c、在半导体基板的底层氧化层上淀积中间SiN层,所述中间SiN层的厚度为20~24nm;d、在
【摘要】 本实用新型涉及一种智能充电器,其包括上盖及与下盖,下盖与上盖对应配合形成充电器壳体;下盖的一端凸设有定位块;充电器壳体内设有用于充电的充电线路板;下盖内对应于定位块的内腔形成插头槽,充电插头通过充电输入线与充电线路板相连,充电线路板的电源输出端与电源输出线相连;充电器壳体的一端设有输出线出口及输入线进口;输入线出口与插头槽间凹设有输入线定位槽,输入线定位槽允许电源输入线嵌置;上盖设有输出线卡槽;下盖的外周面上设有输入线卡槽;电源输入线对应于与充电线路板相连的另一端沿输入线卡槽缠绕在下盖上,且穿过输入线定位槽后,充电插头嵌置在插头槽内。本实用新型结构紧凑,使用方便,散热效果好,安全可靠。 【专利类型】实用新型 【申请人】帝发技术(无锡)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214028 江苏省无锡市新区国家高新开发区83-C地块锡坤路11号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201020541533.8 【申请日】2010-09-25 【申请年份】2010 【公开公告号】CN201805252U 【公开公告日】2011-04-20 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN201805252U 【授权公告日】2011-04-20 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H02J7/00 【发明人】滕夏晨; 衡长森; 潘卫星 【主权项内容】一种智能充电器,包括上盖(1)及与所述上盖(1)相对应配合的下盖(10),所述下盖(10)与上盖(1)对应配合形成充电器壳体;其特征是:所述下盖(10)的一端凸设有定位块(35),所述定位块(35)位于充电器壳体内;所述充电器壳体内设有用于充电的充电线路板(3),所述充电线路板(3)利用定位块(35)与上盖(1)的内壁相紧密接触;下盖(10)内对应于定位块(35)的内腔形成插头槽(9),所述插头槽(9)允许充电插头(8)嵌置;所述充电插头(8)通过充电输入线(7)与充电线路板(3)的电源输入端相连,所述充电线路板(3)的电源输出端与电源输出线(4)相连;所述充电器壳体的一端设有输出线出口(34)及输入线进口(37);所述输入线出口(37)与插头槽(9)间凹设有输入线定位槽(36),所述输入线定位槽(36)允许电源输入线(7)嵌置;上盖(1)的外周面上设有允许电源输出线(4)嵌置的输出线卡槽(16);电源输出线(4)对应于与充电线路板(3)相连的另一端沿输出线卡槽(16)缠绕在上盖(1)上,并穿入充电器壳体两侧相应的鳄鱼夹卡槽(14)内;下盖(10)的外周面上设有输入线卡槽(16),所述输入线卡槽(16)与电源输入线(7)的形状相吻合;电源输入线(7)对应于与充电线路板(3)相连的另一端沿输入线卡槽(16)缠绕在下盖(10)上,且穿过输入线定位槽(36)后,充电插头(8)嵌置在插头槽(9)内。 【当前权利人】帝发技术(无锡)有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市新区国家高新开发区83-C地块锡坤路11号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】91320214775406903J 【被引证次数】3 【被自引次数】2.0 【被他引次数】1.0 【家族被引证次数】3
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