【摘要】 本发明涉及一种ONO电容结构的生长工艺，包括如下步骤：a、提供半导体基板；b、在半导体基板上，通过干氧氧化生长20～24nm的底层氧化层；c、在半导体基板的底层氧化层上淀积中间SiN层，所述中间SiN层的厚度为20～24nm；d、在上述中间SiN层上，通过热氧化生长270～330nm的顶层氧化层。本发明在半导体基板上通过干氧氧化的方式生长底层氧化层，能够在半导体基板上形成致密的氧化层，确保底层氧化层的质量，在底层氧化层上淀积中间SiN层，在中间SiN层上通过湿氧氧化顶层氧化层，从而在半导体基板上形成ONO电容结构；通过湿氧氧化能够快速地在中间SiN层上形成顶层氧化层，并保证ONO薄膜的质量；操作简单；扩散设备和LPCVD设备可使用通用的半导体前道设备，可控性强，工艺步骤简单。 【专利类型】发明申请 【申请人】无锡中微晶园电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214028 江苏省无锡市新区长江路21号信息产业园A座203室 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201010547284.8 【申请日】2010-11-16 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102097312A 【公开公告日】2011-06-15 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN102097312B 【授权公告日】2012-08-29 【授权公告年份】2012.0 【发明人】肖志强; 陈正才; 吴晓鸫; 高向东 【主权项内容】一种ONO电容结构的生长工艺，其特征是，所述ONO电容结构的生长工艺包括如下步骤：(a)、提供半导体基板；(b)、在所述半导体基板上，通过干氧氧化生长20～24nm的底层氧化层；(c)、在上述半导体基板的底层氧化层上淀积中间SiN层，所述中间SiN层的厚度为20～24nm；(d)、在上述中间SiN层上，通过热氧化生长270～330nm的顶层氧化层，从而在半导体基板上形成ONO电容结构。 【当前权利人】无锡中微晶园电子有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市新区长江路21号信息产业园A座203室 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91320214759698168Q 【被引证次数】7 【被他引次数】7.0 【家族被引证次数】7

未经允许不得转载：http://www.zhongzhencnc.com/1782191688.html