【摘要】 一种自对准金属硅化物的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域，所述第一区域的半导体衬底表面至少有一硅区域；在所述第二区域形成覆盖所述半导体衬底的隔离层；采用射频溅射去除所述硅区域的自然氧化层；采用射频溅射形成覆盖所述硅区域、隔离层的金属层；采用射频溅射在所述金属层表面形成保护层；对所述半导体衬底进行退火，形成金属硅化物层；去除保护层和未反应的金属层。本发明提供的自对准金属硅化物的形成方法效率高，能耗低。 【专利类型】发明申请 【申请人】无锡华润上华半导体有限公司; 无锡华润上华科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201010105400.0 【申请日】2010-01-28 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102142366A 【公开公告日】2011-08-03 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN102142366B 【授权公告日】2013-04-03 【授权公告年份】2013.0 【IPC分类号】H01L21/28; H01L21/336; H01L21/76; H01L21/768 【发明人】石永昱; 王栩 【主权项内容】一种自对准金属硅化物的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域，所述第一区域的半导体衬底表面至少有一硅区域；在所述第二区域形成覆盖所述半导体衬底的隔离层；采用射频溅射去除所述硅区域的自然氧化层；采用射频溅射形成覆盖所述硅区域、隔离层的金属层；采用射频溅射在所述金属层表面形成保护层；对所述半导体衬底进行退火，形成金属硅化物层；去除保护层和未反应的金属层。 【当前权利人】无锡华润上华科技有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 【专利权人类型】有限责任公司(外商合资); 有限责任公司(港澳台法人独资) 【统一社会信用代码】91320214714903842J; 91320214739444443B 【引证次数】2.0 【被引证次数】3 【他引次数】2.0 【被他引次数】3.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】3

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