【摘要】 一种应用于高压静电保护的高鲁棒性反偏二极管，包括：P型衬底，在P型衬底上设有埋氧化层，在埋氧化层上设有P型外延层，在P型外延层的上部设有第一低压P型阱、第一低压N型阱和第二高压N型阱，在第一低压P型阱内设有P型阳区，在第二高压N型阱内设有N型阴区，在N型阴区上连接有阴极金属，在P型阳区上连接有阳极金属，其特征在于，在所述的第二高压N型阱内部的上表面还设有连接于阴极金属的P型阴区，且P型阴区紧贴着N型阴区的右边界，在所述的第一低压P型阱内设有第二P型缓冲阱，所述的P型阳区位于第二P型缓冲阱内。该器件可以有效地降低静电保护过程中的触发电压，并极大地提升器件的二次击穿电流，因而具有更好的鲁棒性。 【专利类型】实用新型 【申请人】东南大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】214135 江苏省无锡市新区菱湖大道99号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201020674918.1 【申请日】2010-12-22 【申请年份】2010 【公开公告号】CN201904344U 【公开公告日】2011-07-20 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN201904344U 【授权公告日】2011-07-20 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L29/861; H01L29/06; H01L21/8222; H01L21/329; H01L21/265 【发明人】钱钦松; 刘斯扬; 魏守明; 孙伟锋; 时龙兴; 张丽; 朱奎英 【主权项内容】一种应用于高压静电保护的高鲁棒性反偏二极管，包括：P型衬底(1)，在P型衬底(1)上设有埋氧化层(2)，在埋氧化层(2)上设有P型外延层(3)，在P型外延层(3)的上部设有第一低压P型阱(4)、第一低压N型阱(8)和第二高压N型阱(11)且所述第二高压N型阱(11)自P型外延层(3)的上表面延伸至P型外延层(3)的下表面，在第一低压P型阱(4)内设有P型阳区(6)，在第二高压N型阱(11)内设有N型阴区(9)，在P型外延层(3)的上表面上设有场氧化层(13)且所述场氧化层(13)位于第二高压N型阱(11)与P型阳区(6)之间，在第二高压N型阱(11)、场氧化层(13)及P型阳区(6)的上表面上设有钝化层(15)，在N型阴区(9)上连接有阴极金属(12)，在P型阳区(6)上连接有阳极金属(7)，其特征在于，在所述的第二高压N型阱(11)内部的上表面还设有连接于阴极金属(12)的P型阴区(10)，且P型阴区(10)紧贴着N型阴区(9)的右边界，在所述的第一低压P型阱(4)内设有第二P型缓冲阱(5)，所述的P型阳区(6)位于第二P型缓冲阱(5)内。 【当前权利人】东南大学 【当前专利权人地址】江苏省无锡市新区菱湖大道99号 【统一社会信用代码】12100000466006770Q 【被引证次数】2 【被自引次数】2.0 【家族被引证次数】2

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