【摘要】 一种降低热载流子效应的P型横向绝缘栅双极型器件，包括：N型衬底，在N型衬底上设有埋氧，在埋氧上设有N型外延层，在N型外延层上设有P型阱和N阱区，在P型阱上设有P型缓冲阱，在P型缓冲阱上设有N型阳区，在N阱区上设有P型阴区和N型体接触区，而场氧化层，金属层，栅氧化层，多晶硅栅以及氧化层设置在所述器件的上表面，其特征在于在N阱区的下部、埋氧之上设有N型埋层，且插入N型外延层一部分，与N阱区整体构成反向的“L”型N区，这种结构可以将器件的电子电流引向底部，降低了器件沟道区的离子产生率和纵向电场，同时降低了热电子的温度，从而有效抑制了器件的热载流子效应。 【专利类型】发明授权 【申请人】东南大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】214135 江苏省无锡市新区菱湖大道99号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201010146507.X 【申请日】2010-04-13 【申请年份】2010 【公开公告号】CN101819993B 【公开公告日】2011-07-06 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN101819993B 【授权公告日】2011-07-06 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L29/735; H01L29/06 【发明人】钱钦松; 刘斯扬; 孙伟锋; 毛宁; 陆生礼; 时龙兴 【主权项内容】一种降低热载流子效应的P型横向绝缘栅双极型器件，包括：N型衬底(1)，在N型衬底(1)上设有埋氧(2)，在埋氧(2)上设有N型外延层(3)，N型外延层(3)左边设有P型阱(4)，右边设有N阱区(13)，P型阱(4)和N阱区(13)之间仍有N型外延层(3)隔离，在P型阱(4)上设有P型缓冲阱(5)，在P型缓冲阱(5)上设有N型阳区(6)，在N阱区(13)上设有P型阴区(12)和N型体接触区(11)，在N型外延层(3)的表面设有栅氧化层(10)且栅氧化层(10)自P型阴区(12)开始延伸至P型阱(4)，在N型阳区(6)、N型体接触区(11)、P型阴区(12)和栅氧化层(10)以外的硅表面区域设有场氧化层(8)，在栅氧化层(10)的上表面设有多晶硅栅(9)且多晶硅栅(9)延伸至其左边P型阱(4)上的场氧化层(8)的表面，在N型阳区(6)、场氧化层(8)、多晶硅栅(9)、N型体接触区(11)、P型阴区(12)的表面设有氧化层(15)，在N型阳区(6)、N型体接触区(11)、P型阴区(12)和多晶硅栅(9)上分别连接有金属层(7)，其中N型体接触区(11)、P型阴区(12)上连接的为同一金属层(7)，其特征在于在N阱区(13)的下部、埋氧(2)之上设有N型埋层(14)，插入N型外延层(3)一部分，与N阱区(13)整体构成反向的“L”型N区，并且N型埋层(14)的浓度不小于N阱区(13)的浓度。 【当前权利人】东南大学 【当前专利权人地址】江苏省无锡市新区菱湖大道99号 【统一社会信用代码】12100000466006770Q 【引证次数】3.0 【自引次数】1.0 【他引次数】2.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】8

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