【摘要】 本发明提供一种提高维持电压的基于可控硅整流器(SCR)集成电路的静电保护器件，其中的高压器件静电放电保护结构对传统的高压保护器件结构进行改进，在原有的SCR的阳极端下面增加一个N注入区，提高SCR阳极下部的电子浓度。解决了传统的集成电路的静电保护器件维持电压低的问题，通过调整该注入的剂量，降低原有器件的ESD触发电压及提高其维持电压，本发明提升集成电路静电放电保护能力和对闩锁效应的抵御能力。 【专利类型】发明申请 【申请人】无锡华润上华半导体有限公司; 无锡华润上华科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201010593440.4 【申请日】2010-12-17 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102110686A 【公开公告日】2011-06-29 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN102110686B 【授权公告日】2012-11-28 【授权公告年份】2012.0 【发明人】代萌; 林中瑀 【主权项内容】一种基于SCR结构的集成电路静电保护器件，包含由P+注入区(1)、P阱(5)、N阱(7)、N+注入区(9)构成的SCR，其特征在于：在所述SCR的阳极端(1)下面增加一个N注入区(8)。 【当前权利人】无锡华润上华科技有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 【专利权人类型】有限责任公司(外商合资); 有限责任公司(港澳台法人独资) 【统一社会信用代码】91320214714903842J; 91320214739444443B 【被引证次数】43 【被自引次数】14.0 【被他引次数】29.0 【家族被引证次数】46

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