【摘要】 本发明提供了一种化学机械研磨的方法，包括：提供研磨基台和晶片；使第1研磨垫利用第1研磨参数对第N+4片晶片进行第1步研磨，同时使第2研磨垫利用第1研磨参数对第N+3片晶片进行第1步研磨，同时使第3研磨垫利用第2研磨参数对第N+2片晶片进行第2步研磨；使第1研磨垫利用第1研磨参数对第N+5片晶片进行第1步研磨，同时使第2研磨垫利用第2研磨参数对N+4片晶片进行第2步研磨，同时使第3研磨垫利用第2研磨参数对N+3片晶片进行第2步研磨，其中N为自然数。本发明提高了化学机械研磨基台的生产效率。 【专利类型】发明申请 【申请人】无锡华润上华半导体有限公司; 无锡华润上华科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201010165707.X 【申请日】2010-05-06 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102233544A 【公开公告日】2011-11-09 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN102233544B 【授权公告日】2013-02-13 【授权公告年份】2013.0 【IPC分类号】B24B37/04; H01L21/304 【发明人】李健; 胡骏 【主权项内容】一种化学机械研磨的方法，包括：提供研磨基台和晶片，所述研磨基台包括研磨盘，位于研磨盘上，且以研磨盘的中心为圆心的圆周上依次均匀排列的第1研磨垫、第2研磨垫、第3研磨垫和晶片抓取台；所述晶片包括M片，且排列后的所述晶片按照排列顺序依次编排为第1片、第2片......第M片；其特征在于，还包括步骤：使第1研磨垫利用第1研磨参数对第N+4片晶片进行第1步研磨，同时使第2研磨垫利用第1研磨参数对第N+3片晶片进行第1步研磨，同时使第3研磨垫利用第2研磨参数对第N+2片晶片进行第2步研磨；使第1研磨垫利用第1研磨参数对第N+5片晶片进行第1步研磨，同时使第2研磨垫利用第2研磨参数对N+4片晶片进行第2步研磨，同时使第3研磨垫利用第2研磨参数对N+3片晶片进行第2步研磨，其中M和N为自然数，且N＜M。。该数据由<>整理 【当前权利人】无锡华润上华科技有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 【专利权人类型】有限责任公司(外商合资); 有限责任公司(港澳台法人独资) 【统一社会信用代码】91320214714903842J; 91320214739444443B 【引证次数】5.0 【他引次数】5.0 【家族引证次数】5.0

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