【摘要】 。一种深沟槽功率MOS器件及其制造方法,保护环采用接触孔结构,在接触孔刻蚀完以后,进行接触孔的第二导电类型杂质离子注入以及快速热退火,形成第二导电类型掺杂区,使保护环的接触孔位于第一导电类型外延层上方的第二导电类型掺杂区内,保护环
【摘要】 1.外观设计产品名称:素描本(10);2.外观设计产品用途:用于涂画;3.外观设计的设计要点:产品的形状、色彩及图案;4.指定立体图用于出版专利公报;5.后视图、左视图、右视图、俯视图、仰视图无设计要点,故省略。6.本外观设计请求保护色彩。 【专利类型】外观设计 【申请人】无锡凤凰画材有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214131 江苏省无锡市滨湖区华庄龙渚工业园2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201030241370.7 【申请日】2010-07-16 【申请年份】2010 【公开公告号】CN301465366S 【公开公告日】2011-02-09 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN301465366S 【授权公告日】2011-02-09 【授权公告年份】2011.0 【发明人】陈卫宏; 陈祎 【主权项内容】无 【当前权利人】无锡凤凰画材有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市滨湖区华庄龙渚工业园2号 【专利权人类型】有限责任公司(自然人投资或控股) 【统一社会信用代码】91320211729007960F
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