【摘要】 本发明公开一种减少晶圆掉落的方法，采用离子植入的方法对待机状态的晶圆吸盘进行SiF+离子植入。本发明所述的方法，通过采用定期对晶圆吸盘在待机状态下进行SiF+离子植入操作，使植入的硅存在于晶圆吸盘上，因其和将要吸附的晶圆材质一样而不会产生二次玷污；同时植入的活性很强的F+离子(氟离子)和晶圆上的玷污反应并挥发出去，从而保持晶圆吸盘的清洁，进而保证了晶圆传送的稳定性，减少了晶圆掉落所造成的损失。 【专利类型】发明申请 【申请人】无锡华润上华半导体有限公司; 无锡华润上华科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201010593437.2 【申请日】2010-12-17 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102110596A 【公开公告日】2011-06-29 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN102110596B 【授权公告日】2013-04-10 【授权公告年份】2013.0 【发明人】阳厚国; 李法涛 【主权项内容】一种减少晶圆掉落的方法，其特征在于包含以下步骤：采用离子植入的方法对待机状态的晶圆吸盘进行SiF+离子植入。 【当前权利人】无锡华润上华科技有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 【专利权人类型】有限责任公司(外商合资); 有限责任公司(港澳台法人独资) 【统一社会信用代码】91320214714903842J; 91320214739444443B 【被引证次数】1 【被他引次数】1.0 【家族被引证次数】1

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