【摘要】一种绝缘体上硅的N型横向绝缘栅双极晶体管,包括:P型绝缘体上硅硅片,其中第一P型外延层右区设有P型埋层,而上方设有第二P型外延层,第二P型外延层内设有P型高能离子注入层和P型沟道区,而左侧设有N型深阱和N型漂移区,N型漂移区内设N型
【摘要】 1.产品名称:音乐播放器。2.产品用途:用于播放音乐。3.产品的形状为设计要点。4.产品的立体图最能表明设计要点。 【专利类型】外观设计 【申请人】江南大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】江苏省无锡市滨湖区蠡湖大道1800号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201030588421.3 【申请日】2010-10-29 【申请年份】2010 【公开公告号】CN301558858S 【公开公告日】2011-05-25 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN301558858S 【授权公告日】2011-05-25 【授权公告年份】2011.0 【发明人】张寒凝; 黄乐清; 范涵伟; 龚志高 【主权项内容】无 【当前权利人】江南大学 【当前专利权人地址】江苏省无锡市滨湖区蠡湖大道1800号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】1210000071780177X1
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