【摘要】 本实用新型涉及一种网格保护结构肖特基二极管，用于各种高压肖特基二极管产品上。它包括硅片衬底(1)、硅片衬底(1)表面的硅片外延层(2)以及硅片外延层(2)表面的SiO2层(3)，在硅片外延层(2)表面设置有P型掺杂的保护环(6)，在硅片外延层(2)表面还设置有P型掺杂的网格(7)，P型掺杂的网格(7)设置在硅片外延层(2)表面中央，P型掺杂的保护环(6)设置在P型掺杂的网格(7)外围；在设置有P型掺杂的网格(7)的硅片外延层(2)表面设置有肖特基势垒(5)，在肖特基势垒(5)表面、P型掺杂的保护环(6)、P型掺杂的网格(7)以及SiO2层(3)表面设置有电极金属(4)。本实用新型能够在芯片尺寸不变基础上有效减小大电流下肖特基二极管正向电压及反向漏电。 【专利类型】实用新型 【申请人】江阴新顺微电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214431 江苏省江阴市滨江中路275号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】江阴市 【申请号】CN201020251001.0 【申请日】2010-07-01 【申请年份】2010 【公开公告号】CN201741702U 【公开公告日】2011-02-09 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN201741702U 【授权公告日】2011-02-09 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L29/872; H01L29/06 【发明人】王新潮; 冯东明; 叶新民; 朱瑞; 陈晓伦 【主权项内容】一种网格保护结构肖特基二极管，包括硅片衬底(1)、硅片衬底(1)表面的硅片外延层(2)以及硅片外延层(2)表面的SiO2层(3)，在硅片外延层(2)表面设置有P型掺杂的保护环(6)，其特征在于：在硅片外延层(2)表面还设置有P型掺杂的网格(7)，P型掺杂的网格(7)设置在硅片外延层(2)表面中央，P型掺杂的保护环(6)设置在P型掺杂的网格(7)外围；在设置有P型掺杂的网格(7)的硅片外延层(2)表面设置有肖特基势垒(5)，在肖特基势垒(5)表面、P型掺杂的保护环(6)、P型掺杂的网格(7)以及SiO2层(3)表面设置有电极金属(4)。 该数据由<>整理 【当前权利人】江阴新顺微电子有限公司 【当前专利权人地址】江苏省江阴市滨江中路275号 【被引证次数】4 【被他引次数】4.0 【家族被引证次数】4

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