【摘要】 本实用新型提供一种双面受光型晶体硅太阳能电池，由单晶硅衬底、扩硼层P+、扩磷层N+、背面减反射膜、正面减反射膜、背面栅线、正面栅线构成。在硅本体材料的正反两面分别进行硼、磷两种扩散，分别对P型或者N型硅片制成P+NP或者P+PN结构的太阳电池。本实用新型可以充分利用现有技术，生产成本与现有传统丝网印刷太阳能电池产品相仿，却大幅度提高太阳能电池的输出功率，并且工艺简单，能够实现规模化生产。解决了传统铝背场太阳能电池的部分难题，在后续转化效率提高、组件应用拓广上还有很大的空间。 【专利类型】实用新型 【申请人】杨乐 【申请人类型】个人 【申请人地址】214174 江苏省无锡市惠山区堰桥堰丰路168号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】惠山区 【申请号】CN201020146111.0 【申请日】2010-03-30 【申请年份】2010 【公开公告号】CN201699033U 【公开公告日】2011-01-05 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN201699033U 【授权公告日】2011-01-05 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L31/052; H01L31/0288; H01L31/0224; H01L31/18 【发明人】杨乐; 王景霄; 杨志刚; 叶庆好 【主权项内容】一种双面受光型晶体硅太阳能电池，其特征在于包括：太阳能电池本体，具有单晶硅衬底，在所述单晶硅衬底的背面形成扩硼层P+，在所述单晶硅衬底的正面形成扩磷层N+；背面减反射膜，在所述扩硼层P+上形成并由氮化硅构成；正面减反射膜，在所述扩磷层N+上形成并由氮化硅构成；背面栅线，以预定的图案在所述背面减反射膜上形成并通过所述背面减反射膜连接到所述扩硼层P+；正面栅线，以预定的图案在所述正面减反射膜上形成并通过所述正面减反射膜连接到所述扩磷层N+。 【当前权利人】无锡卡利克斯科技有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市新区长江路20号 【引证次数】3.0 【被引证次数】33 【他引次数】3.0 【被他引次数】33.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】33

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